WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO 產(chǎn)品描述： WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V · 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V · 輸出電流：...

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器 產(chǎn)品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調(diào)制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件。 封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性： 輸入電壓范圍：2.7~5.5V 開路LED保護：38V（典型值） 參考電壓：200mV...

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器 產(chǎn)品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V。可以將脈沖寬度調(diào)制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件。 封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性： 輸入電壓范圍：2.7~5.5V 開路LED保護：38V（典型值） 參考電壓：200mV...

ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。 特性： · 截止電壓：±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護 · 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護 · 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供1...

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術(shù)和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 槽型技術(shù) · 超高密度單元設計 · 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應用領域： · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換器 · 電路電源開關 ...

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓：±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特點： · 反向截止電壓：±5V · 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電） · IEC6...

ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電） · 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns） · 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs） · 極低電容：CJ=0.4pF（典型值） · 極低漏電流：IR<1nA（典型值...

WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。...

WSB5546N-肖特基勢壘二極管 特性： · 低反向電流 · 0.2A平均整流正向電流 · 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。 · 快速開關和低正向電壓降 · 反向阻斷 應用： · 電源管理 · 信號處理 · 電子設備保護 總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖...

ESD56151Wxx：電源保護新選擇 ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 這款ESD適用于各種需要電源保...

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。 包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： ...

ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5311X可提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準，能承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。 主要特性： 截止電壓：5V 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬...

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關的電池供電電路。 其主要特性包括： · 溝槽技術(shù) · 超高密度的單元設計 · 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流 · 小型SOT-23-3L封裝 應用領域包括： · 筆記本電腦的電源管理 · 便攜式設備 · 電池供電系統(tǒng) · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · ...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。 特性： D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是...

WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡應用中極具吸引力。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V · 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB · 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV · 輸出噪聲：100uV · 靜態(tài)電流：典型值為150μA 此外，WL2803...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。 特性： D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是...

ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5311X可提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準，能承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。 主要特性： 截止電壓：5V 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬...

WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡應用中極具吸引力。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V · 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB · 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV · 輸出噪聲：100uV · 靜態(tài)電流：典型值為150μA 此外，WL2803...

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器 ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括： · 截止電壓：5V ...

WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 主要特性： · 集成單通道負載開關 · 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V · 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VB...

WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點： · 輸入電壓：29V · 導通電阻：45mΩ（典型值） · 超快OVP響應時間：450ns（典...

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 產(chǎn)品描述： WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉(zhuǎn)換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。 特性： 溝槽技術(shù) 超高密度單元設計 優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流 極低的閾值電壓 小型SOT-23封裝 應用： 繼電器、螺線管、電機、LED等的驅(qū)動器 DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 電源開關 負載開關 充電應用 WPM1483是一款P溝道功...

WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢： · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V · 可調(diào)輸出電壓：0.8V至5V · 輸出電流：300mA · 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關機電流小于1μA · 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。 · 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高...

WD3168：5V/300mA開關電容電壓轉(zhuǎn)換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。 此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范...

RB521C30：肖特基勢壘二極管 · 重復峰值反向電壓 VRM 30 V · 直流反向電壓 VR 30 V · 平均整流正向電流 IO 100 mA 產(chǎn)品特性： 100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。 低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。 低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。 ...

WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。 特性： · 可編程充電電流高達600mA · 過溫保護 · 欠壓鎖定保護 · 自動再充電閾值典型值為4.05V · 充電狀態(tài)輸出引腳 · 2.9V涓流充電閾值 · 軟啟動限制浪涌電流 應用： · 無線電話 · MP3/MP4播放器 · 藍牙設備 ...

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 產(chǎn)品描述： WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉(zhuǎn)換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點： · 輸入電壓：29V · 導通電阻：45mΩ（典型值） · 超快OVP響應時間：450ns（典...