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  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3021
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3021

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù),還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點(diǎn): · 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V · 輸出電流:在輸出電壓小于2V時(shí),典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時(shí),典型值為300mA。 · 電源抑制比(PSRR):在217Hz時(shí)達(dá)到75dB · 壓差電壓:在輸出電流為200mA時(shí),壓差為170mV · ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WCM03141S
    中文資料WILLSEMI韋爾WCM03141S

    WAS4729QB:低導(dǎo)通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述: WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能,其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí),也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用,因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來將...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z

    ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5451X可提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特點(diǎn): · 反向截止電壓:±5V · 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電) · IEC6...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D
    中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D

    WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),具有出色的RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。 WPM2015xx的主要特點(diǎn)包括: 1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻,這有助于在電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。 2:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用,這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。 3:采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。 4:具有超高密度電池設(shè)計(jì),適用...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63004D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63004D

    WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC 產(chǎn)品描述: WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí),該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L 產(chǎn)品特性: · 高壓技術(shù) · 輸入電壓:25V · 輸出上電時(shí)間:8ms(典型值) · OVP閾值:6.1V(典型值) · OVP響應(yīng)時(shí)間:<1us · OCP閾值:2A(最小值) · 輸出放電功能 應(yīng)用領(lǐng)域: ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5325E
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5325E

    ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。 特性: · 截止電壓:5V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù):40A(5/50ns) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):4A(8/20μs) · 極低電容:CJ=0.4pF(典型值) · 極低漏電流:IR<1nA(典型值...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q

    ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性: · 截止電壓:5V · 根據(jù)IEC6100...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WAS4783C
    中文資料WILLSEMI韋爾WAS4783C

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:±5V 根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1042E
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1042E

    SD5302F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM3018
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM3018

    WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器 WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時(shí),它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。 其主要...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K

    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì),采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 技術(shù)特性: · 反向截止電壓:7.5V~15V · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs · 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs · 低鉗位電壓 · 固態(tài)硅技術(shù) 應(yīng)用領(lǐng)域: · 電源保護(hù) ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2341
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2341

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4623C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4623C

    WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。 特性: 溝槽技術(shù) 超高密度單元設(shè)計(jì) 優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流 極低的閾值電壓 小型SOT-23封裝 應(yīng)用: 繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 電源開關(guān) 負(fù)載開關(guān) 充電應(yīng)用 WPM1483是一款P溝道功...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS4646C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS4646C

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù),還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點(diǎn): · 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V · 輸出電流:在輸出電壓小于2V時(shí),典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時(shí),典型值為300mA。 · 電源抑制比(PSRR):在217Hz時(shí)達(dá)到75dB · 壓差電壓:在輸出電流為200mA時(shí),壓差為170mV · ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備,如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。 特性: · 極低電容:CJ=0.5pFtyp · 極低漏電流:IR<1nAtyp · 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP) · 固態(tài)硅技術(shù) · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56161D30
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    ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:5V 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù) 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾VESD54151Z
    代理分銷商WILLSEMI韋爾VESD54151Z

    WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件,其特點(diǎn)是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 特點(diǎn): RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,3407通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低RDS(ON),這意味著在器件導(dǎo)通時(shí),其電阻較小,從而減小了能量損失。低門極電荷:門極電荷是描述開關(guān)器件從關(guān)閉到打開或從打開到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關(guān),從而減少開關(guān)損耗。無鉛:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無鉛產(chǎn)品有需求的場合。 應(yīng)用: 筆記本電腦的電源管理:3407可以用于筆記本...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5568N
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5568N

    WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC 產(chǎn)品描述: WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí),該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L 產(chǎn)品特性: · 高壓技術(shù) · 輸入電壓:25V · 輸出上電時(shí)間:8ms(典型值) · OVP閾值:6.1V(典型值) · OVP響應(yīng)時(shí)間:<1us · OCP閾值:2A(最小值) · 輸出放電功能 應(yīng)用領(lǐng)域: ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD5126C
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    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84201C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84201C

    WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器 WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時(shí),它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。 其主要...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5345E
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5345E

    RB521S30肖特基勢壘二極管 特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應(yīng)用:低電流整流 介紹: RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護(hù)和更換的頻率。 此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。 主要特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 優(yōu)異的開啟電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域: · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器電路 · 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換 WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E
    中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:±5V 根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD80151Z
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD80151Z

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會(huì)損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 特性: ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR250N65TH

    WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。 特性: 溝槽技術(shù) 超高密度單元設(shè)計(jì) 優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流 極低的閾值電壓 小型SOT-23封裝 應(yīng)用: 繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 電源開關(guān) 負(fù)載開關(guān) 充電應(yīng)用 WPM1483是一款P溝道功...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C
    中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:±5V 根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D

    WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域: · 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng) · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開關(guān) · 負(fù)載開關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56231L24
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56231L24

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311X可提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),能承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。 主要特性: 截止電壓:5V 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬...

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