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  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72042
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72042

    SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態(tài)...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM03137E
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM03137E

    ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS4667E
    中文資料WILLSEMI韋爾WS4667E

    ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性: · 截止電壓:5V · 根據(jù)IEC6100...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D

    WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關(guān) 產(chǎn)品描述 WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4612還集成了反向保護功能,當設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 輸入電壓范圍:2.5-5.5V · 主開關(guān)RON:60mΩ@VIN=5.0V · ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5681N07
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5681N07

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢: · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V · 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V · 輸出電流:300mA · 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機電流小于1μA · 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。 · 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。 技術(shù)特性:偏移電壓只有3μ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

    RB521S30肖特基勢壘二極管 特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應(yīng)用:低電流整流 介紹: RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。 此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z5V
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z5V

    ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器 ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括: · 截止電壓:5V ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5401N
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5401N

    WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述: WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導(dǎo)通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域: · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關(guān)。當輸入電壓超過閾值時,該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護負載。當OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點: · 輸入電壓:29V · 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值) · 超快OVP響應(yīng)時間:450ns(典...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS74242
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    ESD56151Wxx:電源保護新選擇 ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。 ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設(shè)計,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 這款ESD適用于各種需要電源保...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 產(chǎn)品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉(zhuǎn)換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

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    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2201

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護,還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點: · 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V · 輸出電流:在輸出電壓小于2V時,典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時,典型值為300mA。 · 電源抑制比(PSRR):在217Hz時達到75dB · 壓差電壓:在輸出電流為200mA時,壓差為170mV · ...

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    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WD1071VA

    WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 描述 WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4603E還集成了反向保護功能,當設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。 特性 1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V 2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V 3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(...

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    代理分銷商WILLSEMI韋爾WUSB3831Q

    WD3139:高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器 產(chǎn)品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達10個串聯(lián)的白色LED,電流限制為1.2A,過壓保護為38V??梢詫⒚}沖寬度調(diào)制(PWM)信號應(yīng)用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開關(guān)頻率運行,以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率,并允許使用小型外部組件。 封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性: 輸入電壓范圍:2.7~5.5V 開路LED保護:38V(典型值) 參考電壓:200mV...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9241A
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9241A

    SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態(tài)...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WCL120N06DN
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WCL120N06DN

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)等特點。在500mA的負載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。 特性: · 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V · 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V · 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時為65dB · 壓降電壓:在IOUT=0.5A時為130mV · 輸出噪聲:100uV · 靜態(tài)電流:典型值為150μA 此外,WL2803...

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    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPT2F06

    ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD9B5VL可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓:±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

    WNM6002是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域: · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅(qū)動 · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開關(guān) · 負載開關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WS72042
    中文資料WILLSEMI韋爾WS72042

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。 WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號,進一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。 ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3027
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM3027

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

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    WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器,而且采用標準的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1305E20
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1305E20

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計,如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標準兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個開關(guān)都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。 特性: D+/D-上的特殊電路設(shè)計,使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2815D
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    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 特性: ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E
    中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    RB521S30肖特基勢壘二極管 特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應(yīng)用:低電流整流 介紹: RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。 此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5661D15
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5661D15

    WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器 WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負載電流時,它會進入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個負載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標準無鉛和無鹵素產(chǎn)品。 其主要...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C

    ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性 截...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2153A
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2153A

    WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝 產(chǎn)品特性: · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域: · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器電路 · 便攜式設(shè)備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

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    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56241D12

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性: 反向截止電壓:±5V 根據(jù)IEC61000-4-2(...

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