中文資料WILLSEMI韋爾WS72042

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性?？傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WSB5503W-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-323。中文資料WILLSEMI韋爾WS72042

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5661D15WCM2001-6/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-6L-EP(2x2)。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 SS24 肖特基二極管 封裝：SMA(DO-214AC)。

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產品和服務。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM03155S

ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。中文資料WILLSEMI韋爾WS72042

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應用中表現突出。

     這款產品的應用領域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師，還是對于尋求成本效益的生產商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現了我們對產品質量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72042