ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢： 高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。 低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關(guān)過程中的損失，保證信號的完整性。 高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。 寬工作電...

ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。 特性： · 截止電壓：±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護 · 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護 · 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供1...

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述： WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應(yīng)用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將...

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

WNM6002是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅(qū)動 · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開關(guān) · 負載開關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性...

WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能，當設(shè)備關(guān)閉時，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品是無鉛且無鹵素的。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5~5.5V · 主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V · 持續(xù)輸出電流：1.0A · 電流限制閾值：1.5A（典型值） · 電流限制精度：±20% ...