規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z

來源: 發(fā)布時間:2024-03-18

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5451X可提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特點:

· 反向截止電壓:±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)

· 電容:CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流:IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用:

· 手機

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設(shè)備,雙向保護,應(yīng)對極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓,不影響設(shè)備正常工作。固態(tài)硅技術(shù),穩(wěn)定可靠。各方面保護現(xiàn)代電子設(shè)備,消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z

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RB521C30:肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA


產(chǎn)品特性:

     100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。

   低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域:

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號,這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,如電池供電的設(shè)備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3018WAS4642Q-24/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN2534-24L。

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      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用:

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用??沙惺?5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動繼電器、電機等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS72042M-8/TR 運算放大器 封裝:MSOP-8。

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ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:SOT-363。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83582C

WPM3021-8/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOP-8。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下,轉(zhuǎn)換器進入跳過模式,以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A(小值)的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動


應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦(PADs)

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器,1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景,如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性,是電源管理的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5451Z