規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72542

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域

· 手機

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網絡通信設備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機、平板等便攜式設備，保護敏感電子組件。高保護能力、低泄漏和低箝位電壓，穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關 封裝：WLCSP-9L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72542

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產品，還符合環(huán)保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD63091CNESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅動器

產品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內部MOSFET可以驅動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉換效率，并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關頻率：1MHz（典型值）

效率：高達92%

主開關電流限制：1.2A（典型值）

PWM調光頻率：5KHz至200KHzPWM

調光占空比：0.5%~100%

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設計的高效驅動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護，確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調光，1MHz開關頻率提升轉換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機、平板等便攜設備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保，是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WL2862E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術

超高密度單元設計

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用：

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5441N02-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WNM4153A

ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72542

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72542