規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DBHN0-5/TR

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DBHN0-5/TR

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027ABRL0-4/TRWS7916DE-6/TR 射頻低噪聲放大器 封裝：DFN-6(1x1.5)。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性?？傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒（STB）

計算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過熱保護(hù)和限流功能，增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WSB5557Z

SPD8811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管（TSS） 封裝：SMB。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DBHN0-5/TR

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7027DBHN0-5/TR