福建鍵合機(jī)供應(yīng)商

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-02

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。特色:EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,例如陽(yáng)極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)、研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計(jì)相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。福建鍵合機(jī)供應(yīng)商

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BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿(mǎn)足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線(xiàn)圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。EVG850 DB鍵合機(jī)可以免稅嗎EVG鍵合機(jī)的特征有:壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

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EVG&reg;501鍵合機(jī)特征:獨(dú)特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器;靈活的研究設(shè)計(jì)和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合;開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴可選:1E-5mbar 

ZiptronixInc.與EVGroup(簡(jiǎn)稱(chēng)“EVG”)近日宣布已成功地在客戶(hù)提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路。” EVG的服務(wù):高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

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EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來(lái)。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。芯片鍵合機(jī)干涉測(cè)量應(yīng)用

EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。福建鍵合機(jī)供應(yīng)商

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開(kāi)研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻等問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí),具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。福建鍵合機(jī)供應(yīng)商