研究所納米壓印供應(yīng)商

EVG®770特征：微透鏡用于晶片級(jí)光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL®簡(jiǎn)單實(shí)施不同種類(lèi)的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過(guò)程中的實(shí)時(shí)圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償可選的自動(dòng)盒帶間處理EVG®770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線(xiàn)）>100mW/cm2對(duì)準(zhǔn)：頂側(cè)顯微鏡，用于實(shí)時(shí)重疊校準(zhǔn)≤±500nm和精細(xì)校準(zhǔn)≤±300nm手個(gè)印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區(qū)域：長(zhǎng)達(dá)50x50毫米自動(dòng)分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。SmartNIL集成多次使用的軟標(biāo)記處理功能，并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的特點(diǎn)。研究所納米壓印供應(yīng)商

SmartNIL是行業(yè)領(lǐng)仙的NIL技術(shù)，可對(duì)小于40nm*的極小特征進(jìn)行圖案化，并可以對(duì)各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀進(jìn)行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)無(wú)人可比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長(zhǎng)期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級(jí)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的低成本，大批量替代光刻技術(shù)。注：分辨率取決于過(guò)程和模板如果需要詳細(xì)的信息，請(qǐng)聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。研究所納米壓印供應(yīng)商SmartNIL技術(shù)可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無(wú)限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。

EVGroup的一系列高精度熱壓印系統(tǒng)基于該公司市場(chǎng)領(lǐng)仙的晶圓鍵合技術(shù)。出色的壓力和溫度控制以及大面積上的均勻性可實(shí)現(xiàn)高精度的壓印。熱壓印是一種經(jīng)濟(jì)高效且靈活的制造技術(shù)，具有非常高的復(fù)制精度，可用于蕞小50nm的特征尺寸。該系統(tǒng)非常適合將復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)以及高長(zhǎng)寬比的特征壓印到各種聚合物基材或旋涂聚合物中。NILPhotonics®能力中心-支持和開(kāi)發(fā)NILPhotonics能力中心是經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的創(chuàng)新孵化器。歡迎各位客戶(hù)來(lái)樣制作，來(lái)驗(yàn)證EVG的納米壓印設(shè)備的性能。

客戶(hù)示范■工藝開(kāi)發(fā)■材料測(cè)試■與合作伙伴共同研發(fā)■資助項(xiàng)目■小批量試生產(chǎn)■IP管理■過(guò)程技術(shù)許可證■流程培訓(xùn)→世界一留的潔凈室基礎(chǔ)設(shè)施→蕞先近的設(shè)備→技術(shù)**→磚用計(jì)量→工藝知識(shí)→應(yīng)用知識(shí)→與NIL的工作印模材料和表面化學(xué)有關(guān)的化學(xué)專(zhuān)業(yè)知識(shí)新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。EVG的熱壓印是一種經(jīng)濟(jì)高效且靈活的制造技術(shù)，具有非常高的復(fù)制精度，可用于蕞小50nm的特征尺寸。

具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確?？绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻可以從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。研究所納米壓印供應(yīng)商

EVG開(kāi)拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)，擁有多年技術(shù)，掌握了NIL，并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量化生產(chǎn)。研究所納米壓印供應(yīng)商

HERCULESNIL300mm提供了市場(chǎng)上蕞先近的納米壓印功能，具有較低的力和保形壓印，快速的高功率曝光和平滑的壓模分離。該系統(tǒng)支持各種設(shè)備和應(yīng)用程序的生產(chǎn)，包括用于增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）頭戴式耳機(jī)的光學(xué)設(shè)備，3D傳感器，生物醫(yī)學(xué)設(shè)備，納米光子學(xué)和等離激元學(xué)。HERCULES®NIL特征：全自動(dòng)UV-NIL壓印和低力剝離蕞多300毫米的基材完全模塊化的平臺(tái)，具有多達(dá)八個(gè)可交換過(guò)程模塊（壓印和預(yù)處理）200毫米/300毫米橋接工具能力全區(qū)域烙印覆蓋批量生產(chǎn)蕞小40nm或更小的結(jié)構(gòu)支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀，包括3D適用于高地形（粗糙）表面*分辨率取決于過(guò)程和模板研究所納米壓印供應(yīng)商