山西EV Group鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2024-09-29

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程??s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 EVG鍵合機晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。山西EV Group鍵合機

山西EV Group鍵合機,鍵合機

一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機和鍵合機。 廣西EVG820鍵合機EVG的服務(wù):高真空對準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

山西EV Group鍵合機,鍵合機

臨時鍵合系統(tǒng):臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 

半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因為硅是當(dāng)夏流行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃,以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達整個電路,例如集成電路計算機處理器。 以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。

山西EV Group鍵合機,鍵合機

SmartView®NT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于通用對準(zhǔn)。全自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準(zhǔn)的專有方法進行通用對準(zhǔn)。用于通用對準(zhǔn)的SmartViewNT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準(zhǔn)的專有方法。這種對準(zhǔn)技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征:適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結(jié)合了自動光學(xué)對準(zhǔn)和鍵合操作功能。河北鍵合機應(yīng)用

EVG鍵合機軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計,注重用戶友好性,可輕松引導(dǎo)操作員完成每個流程步驟。山西EV Group鍵合機

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)通用質(zhì)量流量控制器:自校準(zhǔn)(高達20.000sccm)真空系統(tǒng):9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉:自動化腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)可選功能:卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/Si(熱氧化)TEOS/TEOS(熱氧化)絕緣體鍺(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)山西EV Group鍵合機