進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-01

一旦將晶片粘合在一起,就必須測試粘合表面,看該工藝是否成功。通常,將批處理過程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常,從而有助于確保成品沒有缺陷。EVGroup(EVG)是制造半導(dǎo)體,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),化合物半導(dǎo)體,功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的lingxian供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合,薄晶圓加工,光刻/納米壓印光刻(NIL)和計(jì)量設(shè)備,以及光刻膠涂布機(jī),清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EVGroup服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò),并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息,請?jiān)L問"鍵合機(jī)"。 EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢

進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢,鍵合機(jī)

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中,這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中,每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個(gè)鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個(gè)類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時(shí)將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。?dāng)銅用于球焊時(shí),氮?dú)庖詺鈶B(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 EVG850 DB鍵合機(jī)有誰在用EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。

進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢,鍵合機(jī)

EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置,用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計(jì),可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴 可選:1E-5mbar 

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配) EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢,鍵合機(jī)

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個(gè)平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個(gè)平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實(shí)現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時(shí)ZUI多40個(gè)晶圓處理系統(tǒng)4個(gè)裝載口特征:多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。上海鍵合機(jī)出廠價(jià)

除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢

EVG®6200BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項(xiàng) 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面進(jìn)口鍵合機(jī)要多少錢