芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35064集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關頻率?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-8良好的線性調(diào)...

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導通時間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導通時間定時器實現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個周期的開始，每當反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導通時間后關閉，此開通時間由導通時間定時器確定。該導通時間定時器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當導通時間定時器定時完畢后，HSF將會保持關閉至少200ns(**小關斷時間)。**小關斷時間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個固定導通時間。精確的使能...

當過流或者過熱故障發(fā)生時，芯片進入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導通，同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù)，當振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設定內(nèi)部**小Toff時間，約32us...

40V降壓DCDC低功耗電源芯片，主要特點?用于條件嚴苛的工業(yè)應用?輸入電壓范圍：6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實現(xiàn)**壓降?支持預偏置輸出軟啟動?輸出過壓/欠壓保護?輸入過壓保護/欠壓鎖定?過溫保護?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補償電路?內(nèi)置軟啟動電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應用優(yōu)化設計?可實現(xiàn)單層PCB布局?低開關速率減輕EMI問題典型應用?白電，小家電?電動工具?智能照明?通用寬輸入...

輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇：需在空載輸出電壓和待機損耗上折中：即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大；而過小的假負載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程?？山o藍牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。四川低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片庫存220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BU...

18V低功耗DCDC降壓芯片，主要特點?寬輸入電壓范圍：4.5Vto17V?輸出電壓范圍：0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關頻率?內(nèi)部集成低導通電阻的MOSFET開關管?低靜態(tài)工作電流：190μA(無開關動作，典型值)?低關斷電流：2.5μA(典型值)?采用恒定導通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應?兩種輕載工作模式：?KP522201A：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A：強制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度：0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護功能：?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動時間，避免過沖電壓和...

在輕載工作條件下自動進入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)，以保持輕載高效率。當負載電流逐漸減小時，電感電流紋波的波谷逐漸下降，直至電感電流波谷為0A，此時即為電感電流連續(xù)導通模式和不連續(xù)導通模式的臨界——電感電流臨界導通模式。繼續(xù)降低負載電流，當檢測到電感電流過零時，將會關閉低側(cè)MOSFET (LSF)，從而電感電流保持為零。在這種情況下，輸出電容只被負載電流放電，輸出電壓下降速度變慢，從而開關頻率將會降低。由于開關頻率的降低，輕載時的開關損耗也將降低，從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。當 CS 電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET 即刻關 斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)3 個PWM 周期.。安徽大功率外置MOS非...

40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業(yè)領域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實現(xiàn)了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數(shù)量，固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數(shù)量，從而輕松實現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關頻率為100kHz，采用低開關速率設計適用于有EMI要求的應用場合。KP521...

220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP322X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：...

芯片引腳內(nèi)部有一個上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時處于使能狀態(tài)。同時，上拉電流源同樣也可被用于設置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時，額外的一個上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會被打開從而改變VEN 的電壓比，實現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動電壓和關閉電壓值。內(nèi)部...

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關，VOUT 開始上升。該預偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會置高，以關閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關管，阻止芯片繼續(xù)開關工作。在穩(wěn)態(tài)工作時，芯片通過反饋二極管由輸 出進行供電，同時借助高壓啟動電路，系統(tǒng)待機功 耗可以低至 50mW 以下。山東交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電...