安徽大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片

在輕載工作條件下自動進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)，以保持輕載高效率。當(dāng)負(fù)載電流逐漸減小時，電感電流紋波的波谷逐漸下降，直至電感電流波谷為0A，此時即為電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式的臨界——電感電流臨界導(dǎo)通模式。繼續(xù)降低負(fù)載電流，當(dāng)檢測到電感電流過零時，將會關(guān)閉低側(cè)MOSFET (LSF)，從而電感電流保持為零。在這種情況下，輸出電容只被負(fù)載電流放電，輸出電壓下降速度變慢，從而開關(guān)頻率將會降低。由于開關(guān)頻率的降低，輕載時的開關(guān)損耗也將降低，從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。當(dāng) CS 電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET 即刻關(guān) 斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)3 個PWM 周期.。安徽大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片

同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成，通過內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關(guān)切換，將能量存儲并傳遞給負(fù)載，并形成二階低通濾波器平滑開關(guān)節(jié)點電壓，得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計實例主要描述詳細(xì)的設(shè)計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下：????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設(shè)計。過大的RFB(B)會導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾，而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者，推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到：?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V吉林AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求， 同時也可以提高系統(tǒng)效率。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時間定時器實現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個周期的開始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時間后關(guān)閉，此開通時間由導(dǎo)通時間定時器確定。該導(dǎo)通時間定時器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時間定時器定時完畢后，HSF將會保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時間)。**小關(guān)斷時間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個固定導(dǎo)通時間。

18V降壓DCDC芯片，低待機。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應(yīng)用的2A 直流同步降壓轉(zhuǎn)換器，尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉(zhuǎn)換器采用恒定導(dǎo)通時間(COT) 控制策略，實現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應(yīng)，同時無需外部環(huán)路補償，有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內(nèi)部導(dǎo)通時間定時器與輸入電壓成反比，與輸出電壓成正比，實現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產(chǎn)品還額外集成了輸出電壓誤差放大器，可以消除COT 控制策略形成的半個紋波的直流輸出電壓失調(diào)，從而達(dá)到更高的輸出電壓精度和負(fù)載調(diào)整率。在輕載條件下，KP522201A 工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM) 中，通過降低開關(guān)頻率來保持高輕載輸出效率；而KP522208A 工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 中，通過保持開關(guān)頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。內(nèi)部集成門極驅(qū)動電路、頻率限制電路、 差分放大電路。

220V交流降壓3.3V100mA電流，給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35062內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周 期的計數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過200 次時芯片退出保 護模式并重新開始工作。吉林AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片原廠

AC 同步檢測及主動泄放電路。安徽大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關(guān)動作之后進(jìn)入自動重啟模式(如下描述)。安徽大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片

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