福建AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠

來源: 發(fā)布時間:2023-02-02

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時,芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通,同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù),當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除,系統(tǒng)開始正常工作;否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定,推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài),即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:輸出電壓;Vf:續(xù)流二極管壓降;Toff_min:IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時間,約32us;ΔI:電感紋波電流,CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講,參考5V-100mA輸出規(guī)格,設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍,即120mA;在芯片內(nèi)部,振蕩器頻率 固定為31kHz且?guī)в卸额l功能,在保證輸出功率的 條件下優(yōu)化了EMI效果。福建AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠

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集成了逐周期谷底限流保護(hù)(OCL) 功能。每當(dāng)內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導(dǎo)通時,芯片檢測電感電流,當(dāng)電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時,限流比較器翻轉(zhuǎn),芯片 進(jìn)入 OCL模式。此時,芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài),直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會再次開啟。如果芯片的負(fù)載電流超過電感電流(電感電流被OCL 鉗位),則輸出電容需要提供額外的電流,從而輸出電容放電,輸出電壓開始下降。當(dāng)輸出電壓低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) 時,芯片將停止工作,進(jìn)入到UVP 打嗝模式,以避免溫升過高的情況出現(xiàn)。江蘇AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片庫存該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓?fù)潆娐?,適用于小家電電源和 線性電源替代等場所。

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芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路,該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容,導(dǎo)致Drain端電壓可能過高,芯片將一直無法進(jìn)入充電窗口。針對該問題,芯片內(nèi)部設(shè)計了主動式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進(jìn)行充電。此外,當(dāng)各種保護(hù)(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時,主動式泄放電路也將打開,對VDD電容進(jìn)行充電,同時對Drain端寄生電容進(jìn)行放電,以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP320X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計,提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。設(shè)計的軟驅(qū)動功能的驅(qū)動電路優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。

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40V降壓DCDC低功耗電源芯片,主要特點(diǎn)?用于條件嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用?輸入電壓范圍:6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實(shí)現(xiàn)**壓降?支持預(yù)偏置輸出軟啟動?輸出過壓/欠壓保護(hù)?輸入過壓保護(hù)/欠壓鎖定?過溫保護(hù)?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補(bǔ)償電路?內(nèi)置軟啟動電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計?可實(shí)現(xiàn)單層PCB布局?低開關(guān)速率減輕EMI問題典型應(yīng)用?白電,小家電?電動工具?智能照明?通用寬輸入電壓軌這款芯片是一種簡單易用、高效集成的同步降壓轉(zhuǎn)換器。江西低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品

芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計。福建AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠

在輕載工作條件下自動進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM),以保持輕載高效率。當(dāng)負(fù)載電流逐漸減小時,電感電流紋波的波谷逐漸下降,直至電感電流波谷為0A,此時即為電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式的臨界——電感電流臨界導(dǎo)通模式。繼續(xù)降低負(fù)載電流,當(dāng)檢測到電感電流過零時,將會關(guān)閉低側(cè)MOSFET (LSF),從而電感電流保持為零。在這種情況下,輸出電容只被負(fù)載電流放電,輸出電壓下降速度變慢,從而開關(guān)頻率將會降低。由于開關(guān)頻率的降低,輕載時的開關(guān)損耗也將降低,從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。福建AC高壓降15V供電非隔離BUCK電源芯片原廠

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