3、任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬用表?yè)茉赗&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測(cè)：將數(shù)字萬用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測(cè)U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性，萬用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為比較大，這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。6單元的三項(xiàng)全橋IGBT拓?fù)?以FS開頭。江西SKM300GB12T4IGBT模塊型號(hào)齊全
變頻器中的igbt開關(guān)頻率指的是什么？
IGBT為逆變單元，按開關(guān)頻率分有低頻（T:8-15KHZ），中頻(E:1-10KHZ)、高頻(S:20-30KHZ)，就是其載波頻率一般在5khz-30khz阻擋igbt在正向阻斷時(shí)耗盡層的擴(kuò)展。
igbt作為能源變換與傳輸?shù)钠骷?，設(shè)置有緩沖層，主要作用是阻擋igbt在正向阻斷時(shí)耗盡層的擴(kuò)展，在提高開關(guān)速度的同時(shí)保持了較低的通態(tài)壓降。igbt主要在交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT是能源變換與傳輸?shù)钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)則乎業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用敗前極廣。 上海富士功率模塊IGBT模塊廠家直供62mm封裝(俗稱“寬條”):IGBT底板的銅極板增加到62mm寬度。
igbt簡(jiǎn)介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。IGBT模塊特點(diǎn)IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。IGBT結(jié)構(gòu)上圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。
晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能。
igbt模塊結(jié)溫變化會(huì)影響哪些因素?結(jié)溫是指IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的溫度，它的變化會(huì)影響IGBT模塊的電性能、可靠性和壽命等多個(gè)方面。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹IGBT模塊結(jié)溫變化對(duì)模塊性能的影響。1.IGBT的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗當(dāng)IGBT模塊結(jié)溫升高時(shí)，其內(nèi)部電阻變小，導(dǎo)通損耗會(huì)減小，而開關(guān)損耗則會(huì)增加。當(dāng)結(jié)溫升高到一定程度時(shí)，開關(guān)損耗的增加會(huì)超過導(dǎo)通損耗的減小，導(dǎo)致總損耗增加。因此，IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的損耗增加，降低模塊的效率。2.熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力。熱應(yīng)力是由于熱膨脹引起的，會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部元器件的變形和應(yīng)力集中，從而降低模塊的可靠性和壽命。機(jī)械應(yīng)力則是由于模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的膨脹和收縮引起的，會(huì)導(dǎo)致模塊的包裝材料產(chǎn)生應(yīng)力，從而降低模塊的可靠性和壽命。3.溫度對(duì)IGBT的壽命的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部元器件的老化速度加快，從而降低模塊的壽命。IGBT的壽命是與結(jié)溫密切相關(guān)的，當(dāng)結(jié)溫升高到一定程度時(shí)，IGBT的壽命會(huì)急劇降低。寅涵供應(yīng)原裝igbt芯片可控硅驅(qū)動(dòng)模塊。貴州SKM300GB12T4IGBT模塊型號(hào)齊全
第四代IGBT能耐175度的極限高溫。江西SKM300GB12T4IGBT模塊型號(hào)齊全
IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個(gè)續(xù)流二極管，電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負(fù)載上換成了一個(gè)電感L。當(dāng)1/4開通時(shí)，電感上會(huì)有電流流過。然后PWM波控制1/4關(guān)斷，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個(gè)電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時(shí)還有電流流過，同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔耍瑢?dǎo)致它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將通過3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。江西SKM300GB12T4IGBT模塊型號(hào)齊全