企業(yè)商機(jī)-上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
  • 福建B43564-S9488-M2電容快速發(fā)貨
    福建B43564-S9488-M2電容快速發(fā)貨

    鋁電解電容器在傳統(tǒng)消費(fèi)電子領(lǐng)域穩(wěn)步增長(zhǎng)的同時(shí),其應(yīng)用領(lǐng)域隨著結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與技術(shù)進(jìn)步在節(jié)能燈、變頻器、新能源等諸多新興領(lǐng)域得以拓展。國(guó)家“十二五”規(guī)劃中明確提出:推進(jìn)大中小城市交通、通信、供電、給排水等基礎(chǔ)設(shè)施一體化建設(shè)和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展。這些新興領(lǐng)域的發(fā)展將拓展新材料產(chǎn)...

    2024-09-27
  • 低壓熔斷器BUSSMANN延時(shí)保險(xiǎn)絲管
    低壓熔斷器BUSSMANN延時(shí)保險(xiǎn)絲管

    主要是起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用。熔斷器是指,當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,得以斷開(kāi)電路的一種電器。當(dāng)電路發(fā)生故障或者異常時(shí),伴隨著電流不斷升高,并且升高到的電流有可能損壞電路中的一些重要器件或者貴重器件,有可能燒毀電路甚至造成火災(zāi),這時(shí)候斷...

    2024-09-26
  • 福建直流低壓熔斷器
    福建直流低壓熔斷器

    1)根據(jù)使用條件確定熔斷器的類(lèi)型。2)選擇熔斷器的規(guī)格時(shí),應(yīng)首先選定熔體的規(guī)格,然后再根據(jù)熔體去選擇熔斷器的規(guī)格。3)熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過(guò)載特性有良好的配合。4)在配電系統(tǒng)中,各級(jí)熔斷器應(yīng)相互匹配,一般上一級(jí)熔體的額定電流要比下一級(jí)熔體的額定電流...

    2024-09-26
  • 甘肅IGBT驅(qū)動(dòng)電路可控硅(晶閘管)ABB配套
    甘肅IGBT驅(qū)動(dòng)電路可控硅(晶閘管)ABB配套

    測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,此時(shí)表針不動(dòng),顯示阻值為無(wú)窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€(xiàn)將晶閘管的陽(yáng)極A與門(mén)極短路(見(jiàn)圖2),相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異),則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。...

    2024-09-26
  • 重慶富士功率模塊IGBT模塊批發(fā)采購(gòu)
    重慶富士功率模塊IGBT模塊批發(fā)采購(gòu)

    igbt的特性igbt的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)棚廳下的IGBT,正向...

    2024-09-26
  • 寧夏CD135 250V4700UF電容型號(hào)齊全
    寧夏CD135 250V4700UF電容型號(hào)齊全

    普通電解電容的阻抗是多少?在特定的頻率下,阻礙交流電流通過(guò)的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān),且與ESR也有關(guān)系。電容的容抗在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小,頻率繼續(xù)增加達(dá)到中頻范圍時(shí)電抗降至ESR的值。當(dāng)頻率達(dá)到高頻范圍時(shí)感...

    2024-09-25
  • 貴州igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門(mén)康全新原裝現(xiàn)貨
    貴州igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門(mén)康全新原裝現(xiàn)貨

    [8]2.檢測(cè)性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)量紅外接收二極管正、反向電阻,根據(jù)正、反向電阻值的大小,即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測(cè)普通二極管正、反向電阻的方法,即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意,由于激光二極管的正...

    2024-09-25
  • 河北CD138 450V10000UF電容優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存
    河北CD138 450V10000UF電容優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

    標(biāo)稱(chēng)容量和允許誤差:電容器儲(chǔ)存電荷的能力,常用的單位是F、uF、pF。電容器上標(biāo)有的電容數(shù)是電容器的標(biāo)稱(chēng)容量。電容器的標(biāo)稱(chēng)容量和它的實(shí)際容量會(huì)有誤差。一般,電容器上都直接寫(xiě)出其容量,也有用數(shù)字來(lái)標(biāo)志容量的,通常在容量小于10000pF的時(shí)候,用pF做單位,大于...

    2024-09-25
  • 四川分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)SCR系列
    四川分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)SCR系列

    5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),如果變壓器空載,輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定)。...

    2024-09-24
  • 甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨
    甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

    它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開(kāi)關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線(xiàn)電壓:≤...

    2024-09-24
  • 寧夏江海電容庫(kù)存充足
    寧夏江海電容庫(kù)存充足

    1.使用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試:將萬(wàn)用表調(diào)整到電容測(cè)試模式,將電容的兩個(gè)引腳連接到萬(wàn)用表的兩個(gè)測(cè)試針上,然后觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)。如果電容正常,讀數(shù)應(yīng)該在規(guī)定范圍內(nèi),如果讀數(shù)為0或者無(wú)限大,說(shuō)明電容已經(jīng)損壞。2.使用電容測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試:電容測(cè)試儀是一種專(zhuān)門(mén)用于測(cè)試電容的儀...

    2024-09-24
  • 廣西脈沖可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    廣西脈沖可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間(toff)短、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)、抗干擾能力較好等特點(diǎn)??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千...

    2024-09-23
  • 黑龍江IGBT單管可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    黑龍江IGBT單管可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí),就有很大的位移電流流過(guò)元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用??赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶...

    2024-09-23
  • 浙江igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
    浙江igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

    載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩V档米⒁?..

    2024-09-23
  • 貴州igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨
    貴州igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

    載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩V档米⒁?..

    2024-09-23
  • 湖南B43564-S9428-M1電容型號(hào)齊全
    湖南B43564-S9428-M1電容型號(hào)齊全

    超級(jí)電容器的有點(diǎn)就是在很小的體積下達(dá)到法拉級(jí)的電容量;無(wú)須特別的充電電路和控制放電電路;和電池相比過(guò)充、過(guò)放都不對(duì)其壽命構(gòu)成負(fù)面影響;從環(huán)保的角度考慮,它是一種綠色能源;超級(jí)電容器可焊接,因而不存在像電池接觸不牢固等問(wèn)題。缺點(diǎn)就是如果使用不當(dāng)會(huì)造成電解質(zhì)泄漏等...

    2024-09-23
  • 內(nèi)蒙古igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門(mén)康全新原裝現(xiàn)貨
    內(nèi)蒙古igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門(mén)康全新原裝現(xiàn)貨

    故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高其電流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更...

    2024-09-23
  • 遼寧B43564-S9588-M1電容廠家直供
    遼寧B43564-S9588-M1電容廠家直供

    濾波電容與電解電容有區(qū)別嗎?濾波電容和電解電容是兩個(gè)不同分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的概念。濾波電容是按用途的分類(lèi),表示這個(gè)電容是用來(lái)濾波整流的,與之類(lèi)似的是儲(chǔ)能電容、耦合電容等。電解電容是按原理的毀薯謹(jǐn)分類(lèi),利用手正鋁鈮鉭等閥金屬氧化物的單向?qū)щ娦运评w基的電容,與之同類(lèi)的是陶...

    2024-09-23
  • 廣東igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    廣東igbt驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已...

    2024-09-23
  • 吉林脈沖可控硅(晶閘管)富士IGBT
    吉林脈沖可控硅(晶閘管)富士IGBT

    晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字...

    2024-09-23
  • 寧夏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
    寧夏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

    家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門(mén)電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線(xiàn)電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,...

    2024-09-23
  • 湖南焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    湖南焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通?,F(xiàn)在,繪制其波形(...

    2024-09-20
  • 安徽高壓igbt驅(qū)動(dòng)模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    安徽高壓igbt驅(qū)動(dòng)模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時(shí)間(toff)短、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)、抗干擾能力較好等特點(diǎn)??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千...

    2024-09-20
  • 寧夏SKM200GB128DIGBT模塊庫(kù)存充足
    寧夏SKM200GB128DIGBT模塊庫(kù)存充足

    有無(wú)緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱(chēng)為非對(duì)稱(chēng)型IGBT,也稱(chēng)穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬?dāng)鄷r(shí)間短、關(guān)斷時(shí)尾部電流小等優(yōu)點(diǎn),但其反向阻斷能力相對(duì)較弱。無(wú)N-緩沖區(qū)的IGBT稱(chēng)為對(duì)稱(chēng)型IGBT,也稱(chēng)非穿通型IGBT。它具有較強(qiáng)的正...

    2024-09-20
  • 內(nèi)蒙古IGBT單管可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫(kù)存
    內(nèi)蒙古IGBT單管可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫(kù)存

    斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大,在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附...

    2024-09-20
  • 江蘇ABB可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝
    江蘇ABB可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝

    為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),作為示例,傳導(dǎo)層40覆蓋襯底20和溝槽22。層40例如由鋁、鋁-銅或鋁-硅-銅制成。層40可以布置在傳導(dǎo)界面層42上。區(qū)域302在溝槽中從層40或可能的界面層42延伸。層42例如旨在便于在層40和區(qū)域302、204、210以及可能的區(qū)域306之...

    2024-09-20
  • 浙江半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    浙江半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    WESTCODE英國(guó)西碼晶閘管 脈沖可控硅 可關(guān)斷可控硅 一、單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的...

    2024-09-20
  • 新疆大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)日本富士
    新疆大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)日本富士

    如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話(huà),那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說(shuō),一個(gè)雙向晶閘管在電路中...

    2024-09-20
  • 四川RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存
    四川RS99D aR 700V/1000AMIRO茗熔優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

    茗熔RO17RT14-63RT18L-12522*58型熔斷器保險(xiǎn)絲10A~63A熔芯熔體額定電流的選擇由于各種電氣設(shè)備都具有一定的過(guò)載能力,允許在-定條件下較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行;而當(dāng)負(fù)載超過(guò)允許值時(shí),就要求保護(hù)熔體在-定時(shí)間內(nèi)熔斷。還有一些設(shè)備起動(dòng)電流很大,但起動(dòng)時(shí)...

    2024-09-20
  • 新疆CD138 400V1800UF電容廠家直供
    新疆CD138 400V1800UF電容廠家直供

    鋁電解電容器基座的用途:電容器基座和絕緣板具體是是用在何用途的~比如電路板還是別的什么精確到行業(yè)!是不是所以的鋁電解電容器都需要基座配合使用基座有2個(gè)用途:1,減震。大的電解電容體積較大,在運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)晃動(dòng),容易引起引線(xiàn)折斷。為此需要做的工作是加基座,同時(shí)點(diǎn)膠...

    2024-09-20
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