江西脈沖可控硅(晶閘管)ABB配套

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-13

晶閘管的種類(lèi)晶閘管有多種方式分類(lèi)管理方法。(1)按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類(lèi)晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。(B)在銷(xiāo)和分類(lèi)的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。(三)按封裝形式分類(lèi)晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,晶閘管塑料晶閘管和三種類(lèi)型的陶瓷封裝的。其中,所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,板形,圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩。(四)按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,而中、小功率通過(guò)晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。(五)按關(guān)斷速度分類(lèi)根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管,并且可以被劃分為高頻(快)晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱(chēng)SCR,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。SCR是它的縮寫(xiě)。根據(jù)其工作特性,可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)。可控硅也稱(chēng)作一個(gè)晶閘管,它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件??申P(guān)斷可控硅平板型原裝現(xiàn)貨華東總代理。江西脈沖可控硅(晶閘管)ABB配套

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通。現(xiàn)在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早;UG到達(dá)較晚時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,交流電的半周常被設(shè)定為180度,稱(chēng)為電角。因此,在U2的每一個(gè)正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱(chēng)為控制角α,每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱(chēng)為導(dǎo)通角θ。顯然,α和θ都用來(lái)表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過(guò)改變控制角度0或?qū)ń莟heta,可通過(guò)改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來(lái)實(shí)現(xiàn)可控整流器。河南可關(guān)斷可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨晶閘管為半控型電力電子器件。

晶閘管陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止?fàn)顟B(tài)(稱(chēng)為正向阻斷狀態(tài)),簡(jiǎn)稱(chēng)斷態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到某一數(shù)值時(shí),晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài),簡(jiǎn)稱(chēng)通態(tài)。陽(yáng)極這時(shí)的電壓稱(chēng)為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM),或稱(chēng)正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后,元件中流過(guò)較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時(shí)由負(fù)載)決定。在減小陽(yáng)極電源電壓或增加負(fù)載電阻時(shí),陽(yáng)極電流隨之減小,當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流IH時(shí),晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當(dāng)晶閘管控制極流過(guò)正向電流Ig時(shí),晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)折電壓越小,當(dāng)Ig足夠大時(shí),晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,一加上正向陽(yáng)極電壓,晶閘管就導(dǎo)通。實(shí)際規(guī)定,當(dāng)晶閘管元件陽(yáng)極與陰極之間加上6V直流電壓時(shí),能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱(chēng)為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓時(shí),開(kāi)始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過(guò)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí),反向漏電流急劇增大,這時(shí),所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM),或稱(chēng)反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)。可見(jiàn),晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類(lèi)似。晶閘管晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程的物理過(guò)程較為復(fù)雜。

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽(yáng)極向陰極單方行為向?qū)?,所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來(lái)分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種、高壓品種。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,質(zhì)量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電流發(fā)展。可控硅在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)(固態(tài)開(kāi)關(guān)):作為功率開(kāi)關(guān)元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。因此可控硅元件被廣應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。讓輸出電壓變得可調(diào),也屬于晶閘管的一個(gè)典型應(yīng)用。

晶閘管和可控硅,有什么區(qū)別?

1、概念不一樣:可控硅(SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電孝改器元件,也稱(chēng)晶閘管。三極管,全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

2、用處不一樣:可控硅(1)小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。(2)功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。(3)大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中高頻熔煉爐等。三極管,晶體三極管具有電流放大作用,其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。

3、分類(lèi)不一樣:可控硅:按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)按引腳和極性分類(lèi)按封裝形式分類(lèi)按電流容量分類(lèi)按關(guān)斷速度分類(lèi)非過(guò)零觸發(fā)分類(lèi)。三極管:按材質(zhì)分按結(jié)構(gòu)分按功能分按功率分按工作頻率分按結(jié)構(gòu)工藝分按安裝方式。 當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。安徽中頻爐可控硅(晶閘管)SCR系列

在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件。江西脈沖可控硅(晶閘管)ABB配套

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大,在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi),從而造成局部過(guò)熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖,使得晶閘管在需要時(shí)正常開(kāi)通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求:①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通;②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,對(duì)一些溫度較低的場(chǎng)合,脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3~5倍,脈沖的陡度也需要增加,一般需達(dá)1~2A/μs;③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過(guò)晶閘管門(mén)極的電壓、電流和功率定額。江西脈沖可控硅(晶閘管)ABB配套