TOPConSE設(shè)備采用硼硅玻璃（BSG）作為摻雜源，通過一系列工藝步驟，實(shí)現(xiàn)在硅片上形成高硼摻雜的P++層，并且優(yōu)化了選擇發(fā)射極的制備工藝。
硼硅玻璃（BSG）作為摻雜源：硼硅玻璃是一種含有高濃度硼的玻璃材料，它可以作為TOPCon太陽能電池的摻雜源。使用BSG作為摻雜源可以確保硼摻雜的準(zhǔn)確性和均勻性，從而提高電池的性能和穩(wěn)定性。
通過擴(kuò)散爐推進(jìn)高硼表面濃度的P++層：在TOPConSE設(shè)備的工藝流程中，首先使用擴(kuò)散爐將硼硅玻璃中的硼元素?cái)U(kuò)散到硅片表面，形成高硼摻雜的P++層。它決定了硼摻雜濃度和分布。
不進(jìn)行氧化：在形成P++層之后，通常需要進(jìn)行氧化工藝以保護(hù)硅片表面。但是，在TOPConSE設(shè)備中，選擇不進(jìn)行氧化操作，而是依賴P++層作為激光摻雜源。這一決策簡(jiǎn)化了工藝流程并提高了生產(chǎn)效率。
激光摻雜和氧化工藝：在形成P++層之后，TOPConSE設(shè)備使用激光技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行摻雜和選擇性氧化。激光能量觸發(fā)P++層中的硼原子，使其能夠有效地?fù)饺牍杌w中。同時(shí)，激光還可以選擇性地對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行氧化，形成隧穿氧化層和多晶硅層，這是TOPCon太陽能電池的重要結(jié)構(gòu)。
解決硼摻濃度問題并簡(jiǎn)化選擇發(fā)射極的制備工藝：通過使用BSG作為摻雜源和調(diào)整工藝參數(shù)。 采用 TOPCon SE 技術(shù)，電池片表面載流子選擇性提取，提升整體發(fā)電量。湖南光伏設(shè)備
TOPCon激光SE設(shè)備的定位系統(tǒng)及其工作原理。
CCD相機(jī)：這是用于捕捉圖像的關(guān)鍵組件。能夠快速、準(zhǔn)確地捕捉硅片的圖像。
鏡頭：與相機(jī)配合使用，能夠聚焦并清晰呈現(xiàn)硅片的圖像。
光源：為相機(jī)提供適當(dāng)?shù)恼彰鳎蛊淠軌虿蹲降角逦墓杵瑘D像。
光源控制器：用于控制光源的亮度和照射角度，確保獲得清晰的圖像效果。
吹掃功能：可以清掃硅片表面或激光臺(tái)面上的塵?；蛩樾?，確保定位和打標(biāo)的準(zhǔn)確性。
破片識(shí)別功能：能夠識(shí)別并避免打標(biāo)有缺陷或破損的硅片，確保打標(biāo)的質(zhì)量和準(zhǔn)確性。
抓邊定位：通過使用兩臺(tái)高精度像素相機(jī)對(duì)硅片的四邊進(jìn)行定位，夠確保硅片的中心點(diǎn)位被準(zhǔn)確識(shí)別。
像素點(diǎn)轉(zhuǎn)換：相機(jī)捕捉到的像素點(diǎn)陣列會(huì)轉(zhuǎn)換成激光振鏡坐標(biāo)系數(shù)據(jù)點(diǎn)，這一轉(zhuǎn)換過程是實(shí)現(xiàn)高精度定位的關(guān)鍵。
中心點(diǎn)位計(jì)算：通過對(duì)硅片對(duì)角兩點(diǎn)的中心點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算，能夠得到硅片的中心點(diǎn)位。這是后續(xù)打標(biāo)工作的基準(zhǔn)點(diǎn)。
坐標(biāo)系傳遞與激光打標(biāo)：一旦確定了硅片的位置，視覺定位系統(tǒng)會(huì)將當(dāng)前的坐標(biāo)系信息傳遞給激光振鏡。激光振鏡根據(jù)這些坐標(biāo)點(diǎn)進(jìn)行打標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)硅片的高精度對(duì)位打標(biāo)。
該定位系統(tǒng)通過先進(jìn)的視覺技術(shù)和算法，實(shí)現(xiàn)了硅片的高精度、快速定位和打標(biāo)，為TOPCon激光SE設(shè)備提供了關(guān)鍵的技術(shù)支持。 廣東TOPCon SE光伏海目星TOPCon SE 設(shè)備，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選擇，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
TOPCon激光直摻技術(shù)是利用激光直接在氧化硅層上形成鈍化接觸。相比傳統(tǒng)的P-N結(jié)太陽能電池，TOPCon激光直摻技術(shù)具有更低的表面復(fù)合速率和更高的開路電壓。通過優(yōu)化激光參數(shù)和工藝條件，可以實(shí)現(xiàn)更高的鈍化質(zhì)量和更低的接觸電阻，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。TOPCon激光直摻技術(shù)在太陽能電池領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。它可以應(yīng)用于各種類型的太陽能電池，包括單晶硅、多晶硅和非晶硅等。此外，TOPCon激光直摻技術(shù)還可以與其他先進(jìn)的太陽能電池制造技術(shù)相結(jié)合，如鈣鈦礦太陽能電池和有機(jī)太陽能電池，進(jìn)一步提高太陽能電池的效率和穩(wěn)定性。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，TOPCon激光直摻技術(shù)有望成為未來太陽能電池制造的重要技術(shù)之一，推動(dòng)太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和應(yīng)用。
定位系統(tǒng)由CCD相機(jī)、鏡頭、光源、光源控制器組成，激光臺(tái)面具有吹掃以及破片識(shí)別功能。相機(jī)為高精度智能CCD高速相機(jī)，定位方式采用抓邊定位。使用兩臺(tái)高精度像素相機(jī)對(duì)硅片對(duì)?四邊的位置進(jìn)行定位，通過相機(jī)像素點(diǎn)陣列并且分別轉(zhuǎn)換成激光振鏡坐標(biāo)系數(shù)據(jù)點(diǎn)，計(jì)算出對(duì)?兩點(diǎn)的中心點(diǎn)位，該點(diǎn)位及為硅片的中心點(diǎn)位。確定硅片位置之后，視覺定位系統(tǒng)會(huì)把當(dāng)前的坐標(biāo)系傳送給激光振鏡，根據(jù)坐標(biāo)點(diǎn)激光打標(biāo)，實(shí)現(xiàn)硅片的高精度對(duì)位激光打標(biāo)。TOPCon SE 設(shè)備在光伏制造中的廣泛應(yīng)用，預(yù)示著綠色能源的未來。
備運(yùn)行模式：離線模式通常意味著設(shè)備在非實(shí)時(shí)、非在線的情況下運(yùn)行。這可能涉及到預(yù)先編程的任務(wù)、計(jì)劃任務(wù)或批處理任務(wù)。在這種模式下，設(shè)備根據(jù)預(yù)設(shè)的程序或命令執(zhí)行任務(wù)，通常不需要實(shí)時(shí)監(jiān)控或交互。
適用硅片尺寸（mm）：182-230mm這表示設(shè)備適用于處理尺寸在182至230mm之間的硅片。
適用硅片厚度（μm）：120-200μm硅片的厚度應(yīng)在120至200微米之間，
設(shè)備尺寸（mm）：?×寬×高：5989mm2700mm2500mm（不包含除塵機(jī)，冷水機(jī)）；寬×高：7745mm2700mm2500mm（包含除塵機(jī)，冷水機(jī)），有助于確定設(shè)備的物理占用空間和布局。
圖形精度：±15μm這表示設(shè)備在加工過程中能夠達(dá)到的圖形精度為±15微米。高精度加工對(duì)于確保硅片的準(zhǔn)確性和一致性至關(guān)重要。
對(duì)準(zhǔn)精度：±15μm對(duì)準(zhǔn)精度表示設(shè)備在加工過程中硅片的對(duì)準(zhǔn)能力?！?5微米的對(duì)準(zhǔn)精度確保了硅片的準(zhǔn)確放置和加工。
上下料方式：滿足AGV對(duì)接上下料，提高了生產(chǎn)效率和自動(dòng)化程度。
花籃數(shù)量：5×2+1+1。
設(shè)備產(chǎn)能：182尺寸≥9000片/小時(shí)（柵線數(shù)量≤148）；182尺寸≥8600片/小時(shí)（柵線數(shù)量≤160）；210尺寸≥7600片/小時(shí)（柵線數(shù)量≤168）。
碎片率：≤0.03%。 TOPCon SE 設(shè)備，讓電池轉(zhuǎn)換效率更上一層樓。激光直摻光伏聯(lián)系方式
整個(gè)加工過程中，硅片自動(dòng)傳輸。湖南光伏設(shè)備
TOPConSE設(shè)備采用硼硅玻璃作為摻雜源，通過擴(kuò)散爐形成高硼摻雜的P++層，優(yōu)化了發(fā)射極制備工藝。此技術(shù)簡(jiǎn)化了流程，提高了效率。激光技術(shù)用于進(jìn)一步摻雜和選擇性氧化，形成TOPCon電池的重要結(jié)構(gòu)。這種工藝解決了硼摻雜濃度問題，使制造商能更靈活地調(diào)整參數(shù)。TOPConSE設(shè)備提高了生產(chǎn)效率和電池性能，為大規(guī)模制造提供有力支持。其采用硼硅玻璃作為摻雜源，通過一系列工藝步驟實(shí)現(xiàn)在硅片上形成高硼摻雜的P++層。這一過程確保了硼摻雜的準(zhǔn)確性和均勻性，進(jìn)而提升了電池性能和穩(wěn)定性。在形成P++層后，設(shè)備采用不進(jìn)行常規(guī)氧化的策略，而是依賴P++層作為激光摻雜源。這一創(chuàng)新決策不僅簡(jiǎn)化了工藝流程，還顯著提高了生產(chǎn)效率。通過使用激光技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行摻雜和選擇性氧化，TOPConSE設(shè)備實(shí)現(xiàn)了高效、精確的硼原子摻入硅基體中。同時(shí)，激光選擇性地對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行氧化，形成關(guān)鍵的隧穿氧化層和多晶硅層。這一重要技術(shù)使TOPCon太陽能電池具備更高的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性?？傊?，TOPConSE設(shè)備的創(chuàng)新工藝為高效、大規(guī)模生產(chǎn)TOPCon太陽能電池提供了有力支持，推動(dòng)了光伏技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。湖南光伏設(shè)備