聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡(jiǎn)單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)即可對(duì)模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。

電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法?？刂菩盘?hào)可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線(xiàn)。

GND1: 控制信號(hào)地線(xiàn)，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號(hào)輸入

TESTE：檢測(cè)電源,方便用戶(hù)檢測(cè)模塊功能時(shí)用?？赏饨?4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號(hào)。

CON20mA：4～20mA控制信號(hào)輸入 正高電氣以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線(xiàn)路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱(chēng)為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線(xiàn)要短。比較好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱(chēng)電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過(guò)程滿(mǎn)足客戶(hù)的***需求。

    這兩部分電路，R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開(kāi)關(guān)S，交流電源電壓通過(guò)R5、RP向電容器C5充電，當(dāng)電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，ST和雙向晶閘管VS相繼導(dǎo)通，負(fù)載RL得電工作。當(dāng)交流電源電壓過(guò)零瞬間，雙向晶閘管自行關(guān)斷，接著C5又被電源反向充電，重復(fù)上述過(guò)程。分析電路時(shí)，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負(fù)半周分別會(huì)發(fā)出正、負(fù)觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負(fù)半周內(nèi)對(duì)稱(chēng)地導(dǎo)通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導(dǎo)通角，相應(yīng)地改變了負(fù)載RL上的交流電壓，實(shí)現(xiàn)了交流調(diào)壓。同是不是可以直接作交流調(diào)壓器使用呢？一個(gè)簡(jiǎn)易型調(diào)壓器，在要求不高的場(chǎng)合（如燈具調(diào)光）完全可以使用。這種調(diào)壓器的缺點(diǎn)有兩個(gè)：一是負(fù)載RL上的電壓不能從零伏起調(diào)，比較低只能調(diào)到20V。當(dāng)RP調(diào)到比較大值時(shí)，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個(gè)周期時(shí)間內(nèi)，C5上的電壓還來(lái)不及上升到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓，雙向晶閘管就不能導(dǎo)通。為了克服這一缺點(diǎn)，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當(dāng)RP調(diào)到極限值以上時(shí)。C4上的電壓可經(jīng)R6向C5充電。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱(chēng)為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門(mén)極信號(hào)的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結(jié)，這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說(shuō)的硬開(kāi)通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。正高電氣熱忱歡迎新老客戶(hù)惠顧。

    金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，*在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極失去作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分。以客戶(hù)至上為理念，為客戶(hù)提供咨詢(xún)服務(wù)。濱州MTDC200晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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    調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器可整定過(guò)壓電平。IC4D及周?chē)娐方M成水壓過(guò)低延時(shí)保護(hù)電路，延時(shí)時(shí)間約3秒，輸入到IC6的27P，整流觸發(fā)脈沖；驅(qū)動(dòng)“”LED指示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器。復(fù)位開(kāi)關(guān)信號(hào)由CON2-6、CON2-7輸入，閉合狀態(tài)為復(fù)位/暫停。輸入到IC635P的時(shí)鐘信號(hào)CLOK1，其周期為20mS。7、控制板的接線(xiàn)端子與參數(shù)控制板共有32個(gè)M3接線(xiàn)端子，端子排列圖參見(jiàn)圖一，各端子功能表見(jiàn)表一。表一功能端子號(hào)參數(shù)故障輸出CON1-1CON1-2常開(kāi)接點(diǎn)AC5A/220V，DC10A/28V常開(kāi)接點(diǎn)的定觸頭，接電源N線(xiàn)電壓反饋信號(hào)CON2-1CON2-2VF中頻電壓12V電流反饋信號(hào)CON2-3CON2-4CON2-5IFAC，三相12V控制信號(hào)CON2-6CON2-7RST懸空為運(yùn)行狀態(tài)，接地為停止運(yùn)行和故障復(fù)位GND控制信號(hào)接地端（與給定共用）給定CON2-7CON2-8CON2-9GND給定接地端Vg給定：DC，0—+15VDC，+15V，比較大輸出20Ma電源CON3-1CON3-217VAC17V/2A逆變脈沖輸出CON3-3CON3-4CON3-5+22V逆變輸出公共端E端OUT逆變輸出端，比較大輸出15VOUT逆變輸出端，比較大輸出15V外故障輸入CON3-6CON3-7WP接地為故障狀態(tài)，OV燈亮，帶3秒延時(shí)。GND接地為故障地端頻率表CON3-8CON3-9頻率表正端F頻率表負(fù)端。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件

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