上海大功率晶閘管模塊廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-11-06

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中,晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程:

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽(yáng)極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋,從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務(wù)需要。上海大功率晶閘管模塊廠家

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    電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一、概述:電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí),根據(jù)焊接工藝的不同,對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,在點(diǎn)、凸、峰焊、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過(guò)的周波數(shù)量),屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí),晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開(kāi)關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來(lái),CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,據(jù)報(bào)道,發(fā)達(dá)國(guó)家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例,我國(guó)該焊機(jī)所占比例很低,也就百分之二十左右。目前,國(guó)內(nèi)CO2氣體保護(hù)焊機(jī)有可控和不可控兩種,根據(jù)所用器件進(jìn)行區(qū)分。采用整流的即為不可控;采用晶閘管整流的即為可控。全國(guó)以成都、廣州及華東地區(qū)發(fā)展比較快。所選用的器件大部分是螺栓式晶閘管或二極管占有的比例也很大,其次是日本產(chǎn)的焊機(jī)**整流模塊。行吊穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊哪家好正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。

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    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。

    產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲??申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)。正高電氣我們將用穩(wěn)定的質(zhì)量,合理的價(jià)格,良好的信譽(yù)。

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    強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護(hù)有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac輸出通態(tài)壓降<2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌電流(電網(wǎng)一周)800%**小負(fù)載電流100mA輸出漏電流16A及以下<2mA,16A以上<12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增強(qiáng)型)換向電壓上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增強(qiáng)型)開(kāi)啟比較大響應(yīng)時(shí)間10ms關(guān)斷比較大延時(shí)10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓(輸入、輸出及外殼間)≥2000Vac絕緣電阻(輸入、輸出及外殼間)>1000MΩ。正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。上海大功率晶閘管模塊廠家

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    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開(kāi)路的條件下,在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時(shí),允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時(shí),允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。上海大功率晶閘管模塊廠家

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