陜西半導(dǎo)體化學(xué)鍍鎳設(shè)備

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-14

ENEPIG(ElectrolessNickelElectrolessPalladiumImmersionGold)是一種常用的表面處理技術(shù),用于印制電路板(PCB)制造過(guò)程中。它由三個(gè)層次組成:化學(xué)鎳(ElectrolessNickel)、化學(xué)鈀(ElectrolessPalladium)和浸金(ImmersionGold)。ENEPIG技術(shù)在PCB行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用,因?yàn)樗哂性S多優(yōu)點(diǎn)。以下是ENEPIG設(shè)備介紹的一些關(guān)鍵信息:工藝流程:ENEPIG的制程流程與化學(xué)沉金(ENIG)類似,但在化學(xué)鎳和化學(xué)金之間加入了化學(xué)鈀槽。這個(gè)工藝要求控制好鈀槽和金槽,確保鈀層的沉積速度穩(wěn)定和均勻。優(yōu)點(diǎn):高可靠性:ENEPIG具有比ENIG更高的可靠性,因?yàn)殁Z層可以防止鎳和金之間的相互遷移,減少了焊錫性能的變化。防止黑鎳問(wèn)題:ENEPIG可以有效防止“黑鎳問(wèn)題”的發(fā)生,即晶粒邊界腐蝕現(xiàn)象。適用于多次無(wú)鉛再流焊循環(huán):ENEPIG能夠抵擋多次無(wú)鉛再流焊循環(huán),提高了焊接的可靠性。適用于多種封裝元件:ENEPIG適用于各種封裝元件,如SSOP、TSOP、QFP、TQFP、PBGA等。鍍層厚度:ENEPIG的鎳層厚度一般為2.00μm~5.00μm,鈀層厚度為0.10μm~0.20μm,金層厚度為0.03μm~0.05μm。我司化學(xué)鍍?cè)O(shè)備操作簡(jiǎn)單,維護(hù)方便,降低你的生產(chǎn)成本!陜西半導(dǎo)體化學(xué)鍍鎳設(shè)備

ENEPIG是化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀浸金的縮寫(xiě)。PCB焊盤表面上的這種類型的金屬涂層具有三層——鎳、鈀和金——制造商一層一層地沉積。除了保護(hù)銅表面免受腐蝕和氧化外,這種類型的表面處理還適用于高密度SMT設(shè)計(jì)。制造商首先銅表面,然后沉積一層化學(xué)鍍鎳,然后沉積一層化學(xué)鍍鈀,沉積一層浸金。該過(guò)程與他們?cè)贓NIG過(guò)程中遵循的過(guò)程有些相似。ENEPIG工藝是在ENIG技術(shù)的基礎(chǔ)上增加了鈀層而開(kāi)發(fā)的。添加鈀涂層可改善PCB表面保護(hù)。鈀層可防止鎳變質(zhì)并防止與金涂層相互作用?;瘜W(xué)鍍過(guò)程中的化學(xué)還原形成鎳和鈀的薄層。金層可以保護(hù)鈀免受元素的影響安徽整套化學(xué)鍍報(bào)價(jià)行情選擇芯夢(mèng)化學(xué)鍍?cè)O(shè)備與我們一同創(chuàng)造無(wú)限可能!

化學(xué)鍍?cè)诰A制造中有多種應(yīng)用,其中主要包括以下幾個(gè)方面:金屬填充:化學(xué)鍍可以用于填充晶圓上的微小孔洞或凹坑,以修復(fù)或改善晶圓的表面平整度和尺寸一致性。通過(guò)在孔洞或凹坑中沉積金屬鍍層,如銅或鎳,可以填平不均勻的表面并提供良好的導(dǎo)電性。電極制備:在晶圓制造過(guò)程中,需要制備各種電極結(jié)構(gòu),如接觸電極、引線電極等。化學(xué)鍍可以用于在晶圓上沉積金屬電極,如銅、鎳或金,以提供良好的電導(dǎo)性和連接性。保護(hù)層鍍覆:為了保護(hù)晶圓上的敏感器件或元件,常常需要在其表面形成一層保護(hù)層?;瘜W(xué)鍍可以用于在晶圓表面沉積一層金屬鍍層,如鎳或金,以提供耐腐蝕性和保護(hù)性。封裝連接:在晶圓制造中,將芯片封裝到封裝基片或封裝盒中時(shí),常常需要進(jìn)行連接操作?;瘜W(xué)鍍可以用于在晶圓上形成連接點(diǎn)或焊盤,以便進(jìn)行可靠的電連接或焊接。電鍍膜制備:晶圓制造中的一些應(yīng)用需要在晶圓上形成特定的電鍍膜,如鎳、銅或金。這些電鍍膜可以提供特定的性能,如耐腐蝕性、導(dǎo)電性、反射性等。

應(yīng)用于晶圓制造中的化學(xué)鍍?cè)O(shè)備是用于在晶圓表面進(jìn)行化學(xué)鍍涂的設(shè)備。這些設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)中起著重要的作用,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面的鍍涂和保護(hù)。下面是對(duì)應(yīng)用于晶圓制造中的化學(xué)鍍?cè)O(shè)備的介紹:

控制系統(tǒng):化學(xué)鍍?cè)O(shè)備需要配備精確的控制系統(tǒng),以監(jiān)測(cè)和控制化學(xué)鍍過(guò)程的參數(shù)。這些參數(shù)包括溫度、pH值、電流密度等??刂葡到y(tǒng)通常包括溫度控制器、pH計(jì)、電流源等設(shè)備,以確?;瘜W(xué)鍍過(guò)程的穩(wěn)定性和一致性。

廢液處理系統(tǒng):在化學(xué)鍍過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生一定量的廢液。為了環(huán)保和資源回收的考慮,化學(xué)鍍?cè)O(shè)備通常配備廢液處理系統(tǒng)。這些系統(tǒng)包括中和裝置、沉淀裝置和過(guò)濾裝置,用于處理和處理廢液,以確保符合環(huán)保要求。 芯夢(mèng)化學(xué)鍍?cè)O(shè)備為您帶來(lái)不同的體驗(yàn)!

晶圓化學(xué)鍍?cè)O(shè)備的參數(shù)可以因設(shè)備型號(hào)、制造商和具體應(yīng)用而有所不同。下面是一些常見(jiàn)的晶圓化學(xué)鍍?cè)O(shè)備參數(shù),供參考:電鍍槽容量:表示設(shè)備中電鍍槽的容積,通常以升(L)為單位。電鍍槽溫度:指電鍍槽中電解液的溫度,通常以攝氏度(℃)表示。電流密度:表示在電鍍過(guò)程中施加在晶圓上的電流密度,通常以安培/平方分米(A/dm2)為單位。電鍍時(shí)間:指電鍍過(guò)程中晶圓在電鍍槽中停留的時(shí)間,通常以秒(s)或分鐘(min)為單位。電解液組成:指用于電鍍的電解液的成分和濃度,可以包括金屬鹽、酸、堿、添加劑等。攪拌方式:表示電鍍槽中電解液的攪拌方式,可以是機(jī)械攪拌、氣泡攪拌或磁力攪拌等。液位控制:液位控制系統(tǒng)可用于控制電鍍槽中電解液的液位,以確保穩(wěn)定的電鍍過(guò)程。過(guò)濾系統(tǒng):過(guò)濾系統(tǒng)用于去除電鍍槽中的雜質(zhì)和顆粒,以保持電解液的純凈度和穩(wěn)定性??刂葡到y(tǒng):晶圓化學(xué)鍍?cè)O(shè)備通常配備有自動(dòng)控制系統(tǒng),用于監(jiān)測(cè)和控制電鍍過(guò)程中的溫度、電流密度、時(shí)間等參數(shù)。安全系統(tǒng):為確保操作人員和設(shè)備的安全,晶圓化學(xué)鍍?cè)O(shè)備通常配備有安全系統(tǒng),包括液位報(bào)警、漏液檢測(cè)、過(guò)流保護(hù)等選擇我司化學(xué)鍍?cè)O(shè)備,讓你的生產(chǎn)更加智能、自動(dòng)化!陜西半導(dǎo)體化學(xué)鍍鎳設(shè)備

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ENEPIG是一種用于表面處理的鍍層技術(shù),它是指Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold(無(wú)電鍍鎳-無(wú)電鍍鈀-浸金)的縮寫(xiě)。這種鍍層技術(shù)主要用于印制電路板(PCB)和其他電子元器件的表面處理。

ENEPIG表面處理的優(yōu)點(diǎn)

●減少由于鈀的存在而導(dǎo)致的質(zhì)量問(wèn)題,例如黑墊。

優(yōu)良的可焊性和高回流焊階段。

●提供高度可靠的引線接合能力。

●支持高密度過(guò)孔。

●滿足小型化的標(biāo)準(zhǔn)。

●適用于薄型PCB。

ENEPIG表面處理的缺點(diǎn):

●比ENIG更貴。

●較厚的鈀層會(huì)降低SMT焊接的效率。

●更長(zhǎng)的潤(rùn)濕時(shí)間。


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