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智能排產(chǎn)功能在MES管理系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用
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新誠(chéng)物業(yè)&芯軟智控:一封表?yè)P(yáng)信,一面錦旗,是對(duì)芯軟智控的滿分
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了解MES生產(chǎn)管理系統(tǒng)的作用及優(yōu)勢(shì)?
汽車涂裝超純水設(shè)備。汽車涂裝行業(yè)中,為了增加鍍件表面光潔度、亮度、附著力,電鍍液的配制需要用電導(dǎo)率在15uS/cm以下的純水,另外在鍍件漂洗時(shí)也需用電導(dǎo)率在2-10uS/cm以下電鍍純水來(lái)清洗,涂裝行業(yè)用汽車涂裝用超純水設(shè)備包括電鍍前電鍍液配制用純水系統(tǒng)、電鍍漂洗廢水中稀有金屬回收漂洗水循環(huán)利用電鍍廢水處理零排放系統(tǒng)。通常系統(tǒng)由預(yù)處理、超濾、反滲透(RO)、離子交換、EDI設(shè)備等組成,以滿足汽車電鍍涂裝行業(yè)對(duì)各種水質(zhì)的要求。工業(yè)超純水設(shè)備具備智能控制系統(tǒng),方便遠(yuǎn)程監(jiān)控和管理。儀征制藥超純水設(shè)備
EDI超純水處理設(shè)備,電去離子簡(jiǎn)稱EDI,是一種將離子交換技術(shù),離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)相結(jié)合的純水制造技術(shù)。屬高科技綠色環(huán)保技術(shù)。工業(yè)edi超純水設(shè)備的原理1、RO產(chǎn)水進(jìn)入edi模塊后被均勻地分配到淡水室中。2、RO膜未脫除的微量離子被淡水室中的離子交換樹(shù)脂吸附在膜表面。3、直流電加在edi模塊的兩端電極,驅(qū)動(dòng)淡水室中的陰陽(yáng)離子向相應(yīng)電極遷移至濃水室,從而制取高純水。4、在電場(chǎng)作用下,水分子被大量電離成H+和OH-,從而連續(xù)地對(duì)離子交換樹(shù)脂進(jìn)行再生。邳州超純水設(shè)備多少錢太陽(yáng)能電池片超純水設(shè)備生產(chǎn)廠家。
電子工業(yè)超純水設(shè)備工藝及使用注意事項(xiàng)。高純水又名超純水,是指化學(xué)純度極高的水,其主要應(yīng)用在生物、化學(xué)化工、冶金、宇航、電力等領(lǐng)域,但其對(duì)水質(zhì)純度要求相當(dāng)高,所以一般應(yīng)用比較普遍的還是電子行業(yè)。在超純水設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中,水中的陰陽(yáng)離子可用電滲析法、反滲透法及離子交換技術(shù)等去除,水中的顆粒一般可用超過(guò)濾、膜過(guò)濾等技術(shù)去除;水中的細(xì)菌,目前國(guó)內(nèi)多采用加藥或紫外燈照射或臭氧殺菌的方法去除;水中的TOC則一般用活性炭、反滲透處理。在高純水的應(yīng)用領(lǐng)域中,水的純度直接關(guān)系到器件的性能、可靠性,因此高純水要求具有相當(dāng)高的純度和精度。
超純水設(shè)備保護(hù)措施根據(jù)部件不同略有差別,不同的配置有對(duì)應(yīng)的保護(hù)措施,我們來(lái)了解一下這些非常有必要收藏的保護(hù)措施。a.精密過(guò)濾啟動(dòng)前要排除過(guò)濾器中的空氣。b.檢查和調(diào)整必要的零部件,調(diào)動(dòng)整個(gè)運(yùn)動(dòng)部件的運(yùn)動(dòng)行徑,并經(jīng)常檢查或更換易損件。精密過(guò)濾啟動(dòng)之后才可以調(diào)節(jié)壓力閥門,并且及時(shí)查看壓力儀表,發(fā)現(xiàn)異常時(shí)應(yīng)該及時(shí)停機(jī)。c.停止使用時(shí),應(yīng)及時(shí)用清水沖凈管道中的殘液,否則殘液變質(zhì)后會(huì)影響下個(gè)班次的產(chǎn)品質(zhì)量,必要時(shí)應(yīng)卻下輸液塑料管用毛別拉刷,并及時(shí)擦試干凈機(jī)器,保持干燥整潔。d.清掃、檢查。調(diào)整電器相關(guān)部分,檢查電器接觸是否良好,接線是否牢固可靠。e.及時(shí)清洗,擦拭設(shè)備內(nèi)外表面的死角部位,去除表面污垢,對(duì)純凈水設(shè)備過(guò)濾濾芯進(jìn)行定期反洗。 碩科環(huán)保水處理長(zhǎng)期從事超純水設(shè)備的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)制造。
半導(dǎo)體芯片超純水設(shè)備。半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水,基板晶圓片檢測(cè)清洗用水,中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗,后段檢測(cè)封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長(zhǎng)用水,中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水,后段檢測(cè)封裝用水。同時(shí),半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)TOC的要求較高。設(shè)備優(yōu)點(diǎn):采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高,但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng),耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還有一定破壞性。 動(dòng)力電池超純水設(shè)備咨詢。碳酸鋰超純水設(shè)備公司
超純水設(shè)備的操作注意事項(xiàng)。儀征制藥超純水設(shè)備
EDI超純水設(shè)備污染判斷及8種清洗方法。雖然EDI超純水設(shè)備膜塊的進(jìn)水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機(jī)會(huì),但是隨著設(shè)備運(yùn)行時(shí)間的延展,EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞,這主要是EDI進(jìn)水中含有較多的溶質(zhì),在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進(jìn)水中含有大量的鈣鎂離子(硬度超過(guò))、CO2和較高的PH值,將會(huì)加快沉淀的速度。遇到這種情況,我們可以通過(guò)化學(xué)清洗的方法對(duì)EDI膜塊進(jìn)行清洗,使之恢復(fù)到原來(lái)的技術(shù)特性。通常判斷EDI膜塊被污染堵塞可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行評(píng)估判定:1、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,進(jìn)水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。2、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,濃水進(jìn)水側(cè)與濃水排水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。3、在進(jìn)水溫度、流量及電導(dǎo)率不變的情況下,產(chǎn)水水質(zhì)(電阻率)明顯下降。4、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,濃水排水流量下降35%。膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式:1、顆粒/膠體污堵2、無(wú)機(jī)物污堵3、有機(jī)物污堵4、微生物污堵EDI清洗注意:在清洗或消毒之前請(qǐng)先選擇合適的化學(xué)藥劑并熟悉安全操作規(guī)程,切不可在組件電源沒(méi)有切斷的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)清洗。儀征制藥超純水設(shè)備