杭州V型槽場效應管

來源: 發(fā)布時間:2023-08-01

膩流暢的磁性聲,彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲,別有一番霸道氣勢。在一般的設計中場效應管特長沒有得到充分發(fā)揮,甚至認為聲音偏冷、偏暗,其實這不是場效應管的原因。其聲音不好,一方面是人們使用它直接代換晶體管,晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應管的特性的;另一方面,這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應管轉移特性,在低偏置時具有嚴重的非線性,帶來嚴重的失真,解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài),特別是單端A類,瞬態(tài)特性較好,音質純美,偶次諧波豐富,音色悅耳動聽,更具有電子管的醇美音色。 場效應管的抗輻射能力強。杭州V型槽場效應管

杭州V型槽場效應管,場效應管

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場)控制,可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 珠海加強型場效應管命名場效應管具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、寬動態(tài)范圍、易于集成、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點。

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場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結的反向,即都是反向電阻,可以判定是P溝道場效應管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向PN結,即是正向電阻,判定為N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。

柵極電壓(UGs)對漏極電流(ID)的控制作用稱為轉移特性,反映這兩者之間關系的曲線稱為轉移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結型場效應管的轉移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時,漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq;當UGs=0時,ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時,反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線,也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見,它分為三個區(qū):飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時,應工作在飽和區(qū)(這一點與前面講的普通三極管不同)。注意,此處的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放大區(qū)”。 場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID。

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場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管的應用領域包括通信、電源等。珠海加強型場效應管命名

由于場效應管的放大器輸入阻抗很高,因此可以使用容量較小的耦合電容器,不必使用電解電容器。杭州V型槽場效應管

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 杭州V型槽場效應管

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