場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)展也推動(dòng)了電子技術(shù)的進(jìn)步。隨著場(chǎng)效應(yīng)管性能的不斷提高,電子設(shè)備的體積越來(lái)越小,功能越來(lái)越強(qiáng)大,功耗越來(lái)越低。例如,智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展離不開(kāi)場(chǎng)效應(yīng)管的進(jìn)步。同時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管也為新能源、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域的發(fā)展提供了技術(shù)支持。在工業(yè)控制領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)管也有著重要的應(yīng)用。例如,在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,場(chǎng)效應(yīng)管被用于控制電機(jī)、閥門(mén)等設(shè)備。在工業(yè)電源系統(tǒng)中,場(chǎng)效應(yīng)管則作為功率開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)各種設(shè)備的穩(wěn)定供電。此外,場(chǎng)效應(yīng)管還可以用于工業(yè)傳感器、儀表等設(shè)備中。在工業(yè)控制領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性和穩(wěn)定性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行有著重要的影響。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。上海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用也非常的。當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,相當(dāng)于一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)的;當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管截止,相當(dāng)于一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。由于場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)速度快的、損耗小,因此在數(shù)字電路的和功率電子領(lǐng)域中得到了大量的應(yīng)用。例如,在計(jì)算機(jī)主板上的,場(chǎng)效應(yīng)管被用于控制電源的開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)部件的供電控制。在電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的,場(chǎng)效應(yīng)管則作為功率開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的高效控制。廣東J型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制電流。
場(chǎng)效應(yīng)管和MOS管在主體、特性和原理規(guī)則方面存在一些區(qū)別。以下是具體的比較:1.主體:場(chǎng)效應(yīng)管是V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管,繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效功率開(kāi)關(guān)器件。MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。2.特性:場(chǎng)效應(yīng)管不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)良特性,如輸入阻抗高(≥108W)和驅(qū)動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(比較高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等特性。MOS管主要特點(diǎn)是金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(比較高可達(dá)1015Ω)。3.原理規(guī)則:場(chǎng)效應(yīng)管將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。而MOS管在VGS=0時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),加入正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,形成導(dǎo)電溝道。
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理可以簡(jiǎn)單概括為:通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)柵極沒(méi)有電壓時(shí),源極和漏極之間不會(huì)有電流通過(guò),場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)柵極加上正電壓時(shí),會(huì)在溝道中形成電場(chǎng),吸引電子或空穴,從而形成電流,使源極和漏極之間導(dǎo)通。柵極電壓的大小決定了溝道的導(dǎo)通程度,從而控制了電流的大小。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型:N溝道型和P溝道型。N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別在于,增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在柵極沒(méi)有電壓時(shí),溝道中沒(méi)有電流;而耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在柵極沒(méi)有電壓時(shí),溝道中已經(jīng)有一定的電流。場(chǎng)效應(yīng)管的電壓放大倍數(shù)大。
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力: 將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,說(shuō)明管子的放大能力較弱;若表針不動(dòng),說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。臺(tái)州MOS場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格
它的制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,易于集成在大規(guī)模集成電路中,為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化和高性能化提供了有力支持。上海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng);其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng);另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。上海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)