設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中...
會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因??煽毓枘K對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障...
是把兩個可控硅反接在一起畫成的,它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,電極引...
措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時,因電源回路電感產(chǎn)生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達工作電壓的6...
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種)。螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結(jié)...
有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃;模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結(jié)束對流并恰當增大散熱器面積;悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線端子聯(lián)接強健,以削減次生熱量的發(fā)生,模塊底板和散熱器之間有...
雙向可控硅模塊的應用范圍非常廣,在很多行業(yè)都會見到有可控硅模塊的出現(xiàn),在不同的行業(yè)中起著不用的作用,下面正高就來說說在加溫電路中可控硅模塊起到什么樣的作用?雙向可控硅在加溫電路中是起電子開關(guān)或交流調(diào)壓的作用的,通過改變不同的觸發(fā)脈沖,可以實現(xiàn)加熱功率的調(diào)節(jié)。作...
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P+和P一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannelr...
它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關(guān)S后,電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電,電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當UC上升到單結(jié)晶體管的峰點電壓UP時,單結(jié)晶體管突然導通,基區(qū)電阻RB1急劇減小,電容器C通過PN結(jié)向電阻R1迅速放電,使R1兩...
本公司技術(shù)力量雄厚,基礎設施齊全,新品開發(fā)能力強,本說明以外的相近產(chǎn)品能快速研制生產(chǎn),滿足您的要求。本說明如不能滿足您的要求,可來函索取更詳細資料,更歡迎您光臨本公司商榷、洽談、指導。使用條件:環(huán)境條件:1、自冷和負冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5...
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊,可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊、普通整流管模塊、普通晶閘管、整流管混合模塊、快速晶閘管、整流管及混合模塊、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通...
晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管...
它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關(guān)S后,電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電,電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當UC上升到單結(jié)晶體管的峰點電壓UP時,單結(jié)晶體管突然導通,基區(qū)電阻RB1急劇減小,電容器C通過PN結(jié)向電阻R1迅速放電,使R1兩...
可控硅模塊的應用領域該智能模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、用等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并...
可控硅模塊的發(fā)展及應用可控硅模塊簡稱可控硅,又名晶閘管,通常被稱之為功率半導體模塊,可控硅模塊的優(yōu)點顯而易見,體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發(fā)展和應用??煽毓枘K在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控...
可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了?當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,損壞的面積小,有時...
在電子元器件中,可控硅可以運用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的,不只是這樣,而且還可以控制直流、交流電路的負載功率。在這里,正高小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實生活中的應用范圍:1、觸發(fā)電路的問題如果要讓可控硅觸發(fā)導通,除了要...
措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時,因電源回路電感產(chǎn)生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達工作電壓的6...
觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路,要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時刻導通,使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則,由于元件特性的分散性,在并聯(lián)電路中使導通較早的元件超出允許范圍,在串聯(lián)電路中使導通較晚的元件超...
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個...
相當廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路,要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時刻導通,使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則,由于元件特性的分散性,在并聯(lián)電路中使導通較早的元件超出允...
可控硅模塊的特點有很多,它是由pnpn四層半導體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極k和控制極g所構(gòu)成的,山東可控硅模塊的應用、選擇和安裝你了解多少,下面為你詳細的介紹一下。1、山東可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹山東可控硅模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、...
晶閘管模塊控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。大家制作的調(diào)壓器,采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。七、什么是單結(jié)晶體管模塊?它有什...
電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤,LED或LCD顯示等部分組成。它有相當高的智能水平和適應性。因此,它在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制中迅速得到推廣應用。在電源和控制方面更有著大范圍的應用。另外還有在固態(tài)接觸器、繼電器,工業(yè)電熱控溫、各種半導體所用設備精密控溫,中、高...
晶閘管模塊在電加熱領域的應用,晶閘管模塊在一些設備中是非常重要的器件,起到至關(guān)重要的作用,在電加熱行業(yè)中也不列外,設備的運行是否可靠,與晶閘管模塊質(zhì)量有著很大的關(guān)系。晶閘管智能模塊選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為3...
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種)。螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結(jié)...
如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關(guān)斷。可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示當陽極A加上正向電壓時,BG...
加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時,其導通方向就隨著極性的變化而改變,從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)?,所以?..
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊...
加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時,其導通方向就隨著極性的變化而改變,從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)?,所以?..