新疆晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-11-17

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種)。螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。對(duì)可控硅來說,觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。以客戶至上為理念,為客戶提供咨詢服務(wù)。新疆晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用??僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,對(duì)可控硅來說,觸發(fā)信號(hào)加到控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果E極性反接。

可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中,在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影,由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大,可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路,但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件,下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么?一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā),可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流,必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值,并且留有足夠的余量。另外,由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的,也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間,不是一觸即通,只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時(shí),管子才能導(dǎo)通,所以觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通。例如:一般可控硅的導(dǎo)通時(shí)間在6μs左右,故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上,一般取20~50μs,對(duì)于大電感負(fù)載,由于電流上升較慢,觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大,否則脈沖終止時(shí)主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上,則可控硅又重新關(guān)斷,所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,通常取1ms。淄博正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量,精益求精不斷升級(jí)。

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一、可控硅模塊的分類:可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝的優(yōu)點(diǎn),一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展??煽毓杈湍K類型的按封裝工藝來分可以分為焊接式和壓接式。從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流管模塊(MDC);普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。二、可控硅模塊的選擇方法可控硅模塊一般都對(duì)錯(cuò)正弦電流,存在導(dǎo)通角的疑問而且負(fù)載電流有必定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定要素,且可控硅芯片抗電流沖擊才華較差,在挑選模塊電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)有必要留出必定余量。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大。淄博正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。濱州單相晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

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晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、部對(duì)所用等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。模塊的控制端口與控制線模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,分別對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用前面五個(gè)腳端口,其余為空腳,采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。模塊控制端口插座和控制線插座上都有編號(hào),請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),不要接反。新疆晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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