印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線(xiàn)電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿(mǎn)足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NM...

二極管伏安特性曲線(xiàn)說(shuō)明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開(kāi)始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱(chēng)之為反向飽和電流IR，見(jiàn)圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

三極管具有三個(gè)工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。在模擬電路中可以用這些特性實(shí)現(xiàn)不一樣的功能，在數(shù)字電路中，只有0和1兩個(gè)狀態(tài)，所以數(shù)字電路中三極管主要用作電子開(kāi)關(guān)來(lái)使用，這時(shí)候三極管工作在截止和飽和狀態(tài)，即要么導(dǎo)通，要么斷開(kāi)，就相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。三極管的...

在較初被發(fā)明的那個(gè)年代，二極管通常被稱(chēng)作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·?？藸査箘?chuàng)造了術(shù)語(yǔ) Diode ，是從希臘語(yǔ)詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來(lái)的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)...

三極管的介紹：主要參數(shù)：1 電流放大系數(shù)： ⑴直流電流放大系數(shù)； ⑵交流電流放大系數(shù)； ⑶共基極電流放大系數(shù)。2 頻率特性參數(shù)： ⑴共基極截止頻率fa； ⑵共發(fā)射極截止頻率fb； ⑶特性頻率ft； ⑷較高振蕩頻率fm；3 極間反向電流： ⑴集電極－基極反向截...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

三極管的作用：擴(kuò)流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見(jiàn)附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

半導(dǎo)體二極管的非線(xiàn)性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來(lái)調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護(hù)電路（雪崩二極管），無(wú)線(xiàn)電調(diào)諧（變...

三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號(hào)從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí)，基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管，晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件。下面一起來(lái)了解一下三極管的作用是什么。三極管的作用是什么？1、擴(kuò)流。在某些情況下，可擴(kuò)大電流限值或電容容量等。比如：將小功率可控硅與大功率三級(jí)管相結(jié)合，可以得到大功率可...

什么是三極管？三極管全稱(chēng)是“晶體三極管”，也被稱(chēng)作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對(duì)端子的電壓或電流控制通過(guò)另一對(duì)端子的...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱(chēng)為Frequency doubled diode，對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱(chēng)為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻?..

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS...

場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì)：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子...

這些電極的名稱(chēng)和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過(guò)。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電...

三極管的參數(shù)，三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。直流參數(shù)：a.集電極—基極反向飽和電流Icbo集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Ucb時(shí)的集電極反向電流。b.集電極—發(fā)射極反向電流Ice...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線(xiàn)路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線(xiàn)端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

三極管的作用是通過(guò)電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱(chēng)反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱(chēng)為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

三極管三種工作狀態(tài)電流特征，三極管有三種工作狀態(tài)：截止、放大、飽和。用于不同目的的三極管其工作狀態(tài)不同。三極管電流方向識(shí)別，三極管電路符號(hào)中發(fā)射箭頭的方向表示三極管各電極電流流動(dòng)的方向。什么是三極管，三極管（Transistor），是一種用于信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)、調(diào)...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管結(jié)構(gòu)區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在結(jié)構(gòu)上也有所不同。穩(wěn)壓二極管一般由三層不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料組成，即P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和Intrinsic型半導(dǎo)體。這種特殊結(jié)構(gòu)使得穩(wěn)壓二極管在反向電壓超過(guò)其工作電壓時(shí)，能夠迅速將反向電流增大，同時(shí)保持...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域?？傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類(lèi)型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

三級(jí)管作用是什么？主要是將較微弱的信號(hào)轉(zhuǎn)變成較大幅度值的電信號(hào)。三極管的全稱(chēng)稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管，也就是人們常說(shuō)的雙極型晶體管和晶體三極管，它主要是控制電流的一種半導(dǎo)體器件。三級(jí)管的工作狀態(tài)是怎么樣的？1、截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)三極管中的發(fā)射結(jié)電壓小于導(dǎo)通電壓時(shí)，集電極與發(fā)...

三極管的種類(lèi)：1）開(kāi)關(guān)三極管，利用控制飽和區(qū)、截止區(qū)相互轉(zhuǎn)換而工作的。開(kāi)關(guān)三極管的開(kāi)關(guān)需要一定的響應(yīng)時(shí)間，開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間的長(zhǎng)短表示了三極管開(kāi)關(guān)特性的好壞。2）差分對(duì)管，把兩只性能一致的三極管封裝在一起，能以較簡(jiǎn)單的方式構(gòu)成性能優(yōu)良的差分放大器；3）復(fù)合三級(jí)管，復(fù)...

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱(chēng)為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說(shuō)的三極管。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。前面的二極管是由一個(gè)P-N結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)...

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...