三極管的參數(shù)，三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。直流參數(shù)：a.集電極—基極反向飽和電流Icbo集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開路時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Ucb時的集電極反向電流。b.集電極—發(fā)射極反向電流Ice...

三極管能夠放大信號的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來控制比較大的集電極電流和發(fā)射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發(fā)射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號源...

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨特的特性和應(yīng)用場景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個電...

場效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用，反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

可以通過手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設(shè)備在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜，晶體收音機(jī)重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀(jì)...

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數(shù)電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數(shù)電中則作開關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強(qiáng)度的信號，...

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

二極管保護(hù)：二極管可用于保護(hù)電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護(hù)電路不受損壞。穩(wěn)壓：二極管還可以作為穩(wěn)壓器使用，它可以在電路中提供一個固定的電壓，使電路的工作更加穩(wěn)定。二極管的實際案例解說：整流器：二極管被普遍應(yīng)用于...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖)，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，...

三極管的分類：三極管的應(yīng)用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據(jù)結(jié)構(gòu)：NPN型三極管；PNP型三極管。根據(jù)功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據(jù)工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據(jù)封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據(jù)PN結(jié)材料：鍺...

三極管的飽和狀態(tài)，當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏時，三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下，三極管集電極電流ic的大小已經(jīng)不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關(guān)系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時，集電極電流ic也不會變大了，這就相當(dāng)于水龍頭的開關(guān)已經(jīng)...

交流二極管（DIAC）、突波保護(hù)二極管、雙向觸發(fā)二極管，當(dāng)施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護(hù)上。另，雖被稱為二極管，實際的構(gòu)造、動作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜...

三極管具有電流放大作用，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量，也用作無觸點開關(guān)。三極管的簡介，三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，是半導(dǎo)體基本元器件之一，是電子電路的主要元件，具有電流放大作用，三極管是在一塊半導(dǎo)體...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關(guān)，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向?qū)щ娦?，使得它很容易把信號?..

三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎(chǔ)的)，其他的兩個電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發(fā)射極(...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

LED 燈具的驅(qū)動。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計時...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

二極管是否損壞如何判斷：單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...