MOSFET應用案例解析:開關電源應用從定義上而言,這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時,有數(shù)十種拓撲可用于開關電源,這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖),這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量開釋給負載。目前,設計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,由于頻率越高,磁性元件可以更小更輕。開關電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。場效應管是一種重要的半導體器件,它利用電場效應控制電流,實現(xiàn)電路的開關和放大功能。徐州多晶硅金場效應管制造
雪崩失效的預防措施,雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1:合理降額使用,目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2:合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設計。4:大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),盡量減少布線寄生電感。5:選擇合理的柵極電阻Rg。6:在大功率電源中,可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。徐州柵極場效應管加工場效應管的可靠性較高,壽命長。
電機驅(qū)動:在電機控制系統(tǒng)中,場效應管用于控制電機的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動:場效應管用于LED驅(qū)動電路中,提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場效應管的這些應用展示了其在現(xiàn)代電子技術中的多樣性和重要性。通過選擇合適的場效應管類型和設計合適的電路,可以實現(xiàn)高效、可靠的電子系統(tǒng)。我們知道三極管全稱為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制型半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關。
場效應管主要參數(shù):1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。在開關電路中,場效應管可以實現(xiàn)快速的開關操作,普遍應用于數(shù)字電路和電源控制中。
場效應管注意事項:為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵,焊接場效應管是比較方便的,并且確保安全;在未關斷電源時,一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。場效應管在無線電領域具有普遍應用,如射頻放大器、混頻器、振蕩器等,提高通信質(zhì)量。江門源極場效應管加工
使用場效應管時,應注意其溫度特性,避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能。徐州多晶硅金場效應管制造
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。徐州多晶硅金場效應管制造