利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經(jīng)歷的時間。設器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知，當IRM為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。（2）常規(guī)檢測方法在業(yè)余條件下，利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一只C90-02超快恢復二極管，其主要參數(shù)為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為Ω，n′=；反向電阻...

主電極的一側固定連通在連接橋板上，使主電極也能獲釋機器應力和熱應力，因此可通過聯(lián)接橋板以及主電極減低二極管芯片的機器應力和熱應力，有效性地下降了二極管在長期工作中因機械震動以及發(fā)熱所產(chǎn)生的機器應力和熱應力。2、本實用新型由于在殼體的頂部設有用于緊固件定位用的定位凹槽，而覆在殼體頂部的主電極上設有過孔并與殼體上的定位凹槽對應，由于螺釘安裝時的力矩方向為程度方向，因此在模塊裝配及電極裝配的過程中，主電極不再受外部機器應力的影響，故二極管芯片并未機器應力的效用，在工作運轉時也不會受到機器應力的影響，提高了二極管工作可靠性。3、本實用新型通過軟彈性膠對下過渡層、二極管芯片、上過渡層、連接橋板、...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結構，其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構，其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結構的不同，當有外力產(chǎn)生時，冷熱沖擊，OJ工藝結構的二極管，由于保護膠和硅...

GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結的保護上。OJ結構的產(chǎn)品，采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化。保護P-N結獲得電壓。GPP結構的產(chǎn)品，芯片的P-N結是在鈍化玻璃的保護之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而OJ的保護膠，是覆蓋在P-N結的表面。3．特性比較1）由于結構的不同，當有外界應力產(chǎn)生（比如進行彎角處理），器件進行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護膠和硅片結合的不牢固，就會出現(xiàn)保護不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2）GP...

GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結的保護上。OJ結構的產(chǎn)品，采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化。保護P-N結獲得電壓。GPP結構的產(chǎn)品，芯片的P-N結是在鈍化玻璃的保護之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而OJ的保護膠，是覆蓋在P-N結的表面。3．特性比較1）由于結構的不同，當有外界應力產(chǎn)生（比如進行彎角處理），器件進行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護膠和硅片結合的不牢固，就會出現(xiàn)保護不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2）GP...

本實用新型關乎二極管技術領域，更是關乎一種高壓快回復二極管芯片。背景技術：高壓快恢復二極管的特征：開關特點好、反向回復時間短，耐壓較高，但由于正向壓降大，功耗也大，易于發(fā)燒，高壓快回復二極管的芯片一般都是封裝在塑料殼內(nèi)，熱能不易散發(fā)出去，會影響到二極管芯片的工作。技術實現(xiàn)元素：（一）化解的技術疑問針對現(xiàn)有技術的欠缺，本實用新型提供了一種高壓快回復二極管芯片，化解了現(xiàn)有的高壓快回復二極管易于發(fā)燒，熱能不易散發(fā)出去，會影響到二極管芯片的工作的疑問。（二）技術方案為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種高壓快回復二極管芯片，包括芯片本體，所述芯片本體裹在熱熔膠內(nèi)，所述熱熔膠裹在在封裝...

20A以下的快恢復及超快恢復二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構造看，可分為單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內(nèi)部構造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與結構。它們均使用TO-220塑料封裝，主要技術指標見表1。幾十安的快恢復二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法1）測量反向恢復時間測量電路如圖3。由直流電流...

肖特基二極管和快恢復二極管兩種二極管都是單向?qū)щ姡捎糜谡鲌龊?。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電，將導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的?？旎謴投O管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超...

快恢復二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-80...

我們都知道快恢復二極管有個反向擊穿的極限電壓，絕大多數(shù)的快恢復二極管廠商都沒把它寫入數(shù)據(jù)手冊，但在大多數(shù)情況下為了節(jié)省成本不可能將快恢復二極管反向耐壓降額到50%左右使用，那么反向電壓裕量是否足夠，這對評估該快恢復二極管反向耐壓應降多少額使用較為安全是有一定意義的。從下表中可看出，反向電壓的裕量并不像網(wǎng)上所說的那樣是額定反壓的2~3倍。膝點反向電壓為漏電流突變時的反向電壓點。（快恢復二極管在常溫某電壓點下，其漏電流突然一下增大了幾十上百倍，例如：某快恢復二極管在78V時漏電流為20μA，但在79V時漏電流為2mA，79V即為膝點反向電壓）膝點反向電壓雖然未使快恢復二極管完全擊穿，但...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當模塊壓裝在散熱器上時，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結構設計要充分考慮消除寄生電感等問題，為此，在電磁等原理基礎上，充分考慮三個主電極形狀、布局和走向，同時對鍵合鋁絲長短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問題，提高裝置效率。3.主要技術參數(shù)圖3是FRED模塊導通和關斷期間的電流和電壓波形圖，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴偷娜^程。其主要關斷特性參數(shù)為：反...

MUR1660CT二極管的主要參數(shù)和應用。電子產(chǎn)品在我們生活中的應用是非常多的，電子產(chǎn)品中幾乎都少不了二極管的作用。相信大家對二極管也有一些簡單的了解，二極管的系列產(chǎn)品是很多的，每種類型的二極管特點都是不一樣的，在購買之前我們需要對特定的二極管做詳細了解?，F(xiàn)在小編帶大家了解下MUR1660CT二極管的主要參數(shù)，一起看看吧。MUR1660CT二極管的正向平均電流IF是指在規(guī)定的管殼溫度和散熱條件下允許通過的電流的平均值。實際應用中，該電流取值一般為產(chǎn)品額定電流中的～2倍。正向壓降VF是指在規(guī)定溫度，流過某一穩(wěn)定正向電流時所對應的正向壓降。反向重復峰值電壓是功率二極管能重復施加的反向較...

模塊化構造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時也可下降設備的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進入市場的周期，提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性構造的設計，使設備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降，有利實現(xiàn)設備的高頻化。此外，模塊化構造與同容量分立器件構造相比之下，還兼具體積小、重量輕、構造連貫、外接線簡便、便于維護和安裝等優(yōu)點，因而縮小了設備的何種，減低設備的重量和成本，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與設備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個接地的散熱器上，有利設備體積的更進一...

GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結的保護上。OJ結構的產(chǎn)品，采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化。保護P-N結獲得電壓。GPP結構的產(chǎn)品，芯片的P-N結是在鈍化玻璃的保護之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而OJ的保護膠，是覆蓋在P-N結的表面。3．特性比較1）由于結構的不同，當有外界應力產(chǎn)生（比如進行彎角處理），器件進行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護膠和硅片結合的不牢固，就會出現(xiàn)保護不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2）GP...

FRED的其主要反向關斷屬性參數(shù)為：反向回復時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間，tb一少數(shù)載流子復合時間)；反向回復峰值電流IRM；反向回復電荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回復曲線軟度的軟度因子S=tb／ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有：正向平均電流IF(AV)；正向峰值電壓UFM；正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復)浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為：反向反復峰值電壓URRM和反向反復峰值電流IRRM。須要指出：反向回復時間trr隨著結溫Tj的升高，所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長，而主要用來...

我們都知道快恢復二極管有個反向擊穿的極限電壓，絕大多數(shù)的快恢復二極管廠商都沒把它寫入數(shù)據(jù)手冊，但在大多數(shù)情況下為了節(jié)省成本不可能將快恢復二極管反向耐壓降額到50%左右使用，那么反向電壓裕量是否足夠，這對評估該快恢復二極管反向耐壓應降多少額使用較為安全是有一定意義的。從下表中可看出，反向電壓的裕量并不像網(wǎng)上所說的那樣是額定反壓的2~3倍。膝點反向電壓為漏電流突變時的反向電壓點。（快恢復二極管在常溫某電壓點下，其漏電流突然一下增大了幾十上百倍，例如：某快恢復二極管在78V時漏電流為20μA，但在79V時漏電流為2mA，79V即為膝點反向電壓）膝點反向電壓雖然未使快恢復二極管完全擊穿，但...

2）快恢復、超快恢復二極管的結構特點快恢復二極管的內(nèi)部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又...

電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的...

進行全部快恢復二極管一般地說用以較高頻率的整流和續(xù)流。至于電源模塊的輸入部份，仿佛頻率不高，無需用快恢復二極管，用一般而言二極管即可，但你要用它在電源電路中整流也是可以的?？旎謴投O管分單管（一般而言兩腳的）和對管（3腳的），對管內(nèi)部涵蓋兩只快回復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。用它做全橋時，你得打算兩只對管，一只共陰對管，一只共陽對管，而且電流要等于，所以你得測量一下拆下的管子究竟是共陰還是共陽，查查它們的相關參數(shù)如反向耐壓、額定電流等。一般功放都是要求電源電流比起大的，所以你一定要查查原平常二極管的額定電流，看看變換的快恢復二極管是不是適于。至于它與一...

20A以下的快恢復及超快恢復二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構造看，可分為單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內(nèi)部構造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與結構。它們均使用TO-220塑料封裝，主要技術指標見表1。幾十安的快恢復二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法1）測量反向恢復時間測量電路如圖3。由直流電流...

我們都知道在選擇快恢復二極管時，主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪?、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關系是怎樣的，在電路設計中知道這些關系對選擇合適的快恢復二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復二極管兩端加正向偏置電壓時，其內(nèi)部電場區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴散電流通過PN結。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復二極管才能真正導通。但快恢復二極管的導通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴散電流又存在什么樣的關系？通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復二極管進行導通電流與導通壓降的關系測...

快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關電源。MURB...

快速恢復整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復二極管，這是因為普通整流二極管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當工作頻率在幾十至幾百kHz時，正反向電壓變化的時間慢于恢復時間，普通整流二極管就不能正常實現(xiàn)單向?qū)?，這時就要用快恢速復整流二極管。 快速恢復二極管的特點就是它的恢復時間很短，這一特點使其適合高頻(如電視機中的行頻)整流?？焖倩謴投O管有一個決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復時間。反向恢復時間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉換到截止狀態(tài)，從輸出脈沖下降到零線開始，到反向電源恢復到IRM的10%所需要的時間，常用符號trr表示...

20世紀80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎，同時，為用電設備高頻化(20kHz以上)和高頻設備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實現(xiàn)機電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術基礎。與此同時，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因為，隨著裝置工作開關頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關器件就不...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當作主電路端子和支配端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導體芯片：超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結是玻璃鈍化保護，并在模塊制作過程中再...

GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結的保護上。OJ結構的產(chǎn)品，采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化。保護P-N結獲得電壓。GPP結構的產(chǎn)品，芯片的P-N結是在鈍化玻璃的保護之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而OJ的保護膠，是覆蓋在P-N結的表面。3．特性比較1）由于結構的不同，當有外界應力產(chǎn)生（比如進行彎角處理），器件進行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護膠和硅片結合的不牢固，就會出現(xiàn)保護不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2）GP...

肖特基二極管和快恢復二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電，將導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的?？旎謴投O管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超...

以及逆變器和焊接電源中的功率開關的保護二極管和續(xù)流二極管。2．迅速軟恢復二極管的一種方法使用緩沖層構造明顯改善了二極管的反向恢復屬性。為了縮短二極管的反向恢復時間，提高反向回復軟度，同時使二極管具備較高的耐壓，使用了緩沖層構造，即運用雜質(zhì)控制技術由輕摻雜的N1區(qū)及較重摻雜的N2區(qū)構成N基區(qū)；二極管的正極使用由輕摻雜的P區(qū)與重摻雜的P＋區(qū)鑲嵌構成，該P－P＋構造可以操縱空穴的注入效應，從而達到支配自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向回復時間的目的。圖4使用緩沖層構造二極管示意圖芯片設計原始硅片根據(jù)二極管電壓要求，同常規(guī)低導通壓降二極管設計參數(shù)相同。使用正三角形P+短路點構造，輕摻雜的P區(qū)表面濃度約為...

電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的...

快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內(nèi)部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復二極管，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。MUR2060CTR是什么類型的管子？北京快恢復二極管MURB8...