GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護(hù)上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化。保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而OJ的保護(hù)膠，是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3．特性比較1）由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生（比如進(jìn)行彎角處理），器件進(jìn)行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護(hù)膠和硅片結(jié)合的不牢固，就會(huì)出現(xiàn)保護(hù)不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會(huì)出現(xiàn)類似的情況。2）GPP二極管的可靠性高。首先，GPP常溫下，漏電比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB（高溫反向偏置，是衡量產(chǎn)品可靠性的重要標(biāo)志參數(shù)）GPP要好很多，OJ的產(chǎn)品能承受100度左右的HTRB。而GPP在溫度達(dá)到150度時(shí)，仍然表現(xiàn)非常出色。4．說(shuō)明：以前OJ的產(chǎn)品限于DO系列的軸向封裝，所以很多客戶都使用片式封裝（SMD）產(chǎn)品。因?yàn)槠疆a(chǎn)品，當(dāng)時(shí)只能使用GPP芯片進(jìn)行封裝。但是，現(xiàn)在也出現(xiàn)了片式封裝OJ產(chǎn)品。所以在選用上一定要注意分清。 MUR2540CT是快恢復(fù)二極管嗎？TO263封裝的快恢復(fù)二極管MURB2060CT
主電極的一側(cè)固定連通在連接橋板上，使主電極也能獲釋機(jī)器應(yīng)力和熱應(yīng)力，因此可通過(guò)聯(lián)接橋板以及主電極減低二極管芯片的機(jī)器應(yīng)力和熱應(yīng)力，有效性地下降了二極管在長(zhǎng)期工作中因機(jī)械震動(dòng)以及發(fā)熱所產(chǎn)生的機(jī)器應(yīng)力和熱應(yīng)力。2、本實(shí)用新型由于在殼體的頂部設(shè)有用于緊固件定位用的定位凹槽，而覆在殼體頂部的主電極上設(shè)有過(guò)孔并與殼體上的定位凹槽對(duì)應(yīng)，由于螺釘安裝時(shí)的力矩方向?yàn)槌潭确较?，因此在模塊裝配及電極裝配的過(guò)程中，主電極不再受外部機(jī)器應(yīng)力的影響，故二極管芯片并未機(jī)器應(yīng)力的效用，在工作運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)也不會(huì)受到機(jī)器應(yīng)力的影響，提高了二極管工作可靠性。3、本實(shí)用新型通過(guò)軟彈性膠對(duì)下過(guò)渡層、二極管芯片、上過(guò)渡層、連接橋板、絕緣體以及主電極灌注密封，因此二極管芯片能通過(guò)軟彈性膠進(jìn)行保護(hù)，不僅使連結(jié)橋板和主電極能獲釋因振動(dòng)而產(chǎn)生的機(jī)器應(yīng)力以及工作中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，而且通過(guò)軟彈性膠使熱應(yīng)力不會(huì)功用于二極管芯片上，因此二極管工作可靠性獲取很大提高。以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作更進(jìn)一步的詳實(shí)描述。圖1是已有非絕緣雙塔型二極管模塊的構(gòu)造示意圖。圖2是本實(shí)用新型的非絕緣雙塔型二極管模塊的構(gòu)造示意圖。其中1—底板，2—上過(guò)渡層。重慶快恢復(fù)二極管MURB3060CTMUR1660CS是什么類型的管子？
6)的內(nèi)側(cè)與連接橋板(5)固定連通，主電極(6)的另一側(cè)穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部，且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設(shè)有過(guò)孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對(duì)應(yīng)，下過(guò)渡層(4)、二極管芯片(3)、上過(guò)渡層(2)、連結(jié)橋板(5)、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側(cè)灌注軟彈性膠(8)密封。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部突起的梯形。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩邊平板且中部突起弓形。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特性在于所述外殼(9)頂部的定位凹槽(91)的槽邊至少設(shè)有兩個(gè)平行的平面，且下部設(shè)有過(guò)孔。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特性在于所述的絕緣體(7)是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特性在于所述的上過(guò)渡層(2)為鉬片或鎢片或可伐片。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特點(diǎn)在于所述的下過(guò)渡層(4)為鉬片或鎢片或可伐片。本實(shí)用新型關(guān)乎一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板、二極管芯片、主電極及外殼。
快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間，普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)?，這時(shí)就要用快恢速?gòu)?fù)整流二極管。 快速恢復(fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短，這一特點(diǎn)使其適合高頻(如電視機(jī)中的行頻)整流?？焖倩謴?fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，從輸出脈沖下降到零線開(kāi)始，到反向電源恢復(fù)到IRM的10%所需要的時(shí)間，常用符號(hào)trr表示。普通快速恢復(fù)整流二極管的trr為幾百納秒(10-9s)，超快速恢復(fù)二極管的trr一般為幾十納秒。Trr越小的快速恢復(fù)二極管的工作頻率越高。MUR1620CS是什么類型的管子？
8、絕緣涂層；9、電隔離層；10、粘合層。實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案展開(kāi)明了、完整地描述，顯然，所敘述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分推行例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域平常技術(shù)人員在從未做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所贏得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。如圖1、2所示，現(xiàn)提出下述實(shí)施例：一種高壓快回復(fù)二極管芯片，包括芯片本體1，所述芯片本體1裹在熱熔膠2內(nèi)，所述熱熔膠2裹在在封裝外殼3內(nèi)，所述封裝外殼3由金屬材質(zhì)制成，所述封裝外殼3的內(nèi)部設(shè)有散熱組件，所述散熱組件包括多個(gè)散熱桿4，多個(gè)散熱桿4呈輻射狀固定在所述芯片本體1上，所述散熱桿4的另一端抵觸在所述封裝外殼3的內(nèi)壁，所述散熱桿4與所述芯片本體1的端部上裹有絕緣膜5，所述散熱桿4的內(nèi)部中空且所述散熱桿4的內(nèi)部填入有冰晶混合物6。在本實(shí)施例中，所述封裝外殼3的殼壁呈雙層構(gòu)造且所述封裝外殼3的殼壁的內(nèi)部設(shè)有容納腔7，所述容納腔7與所述散熱桿4的內(nèi)部連接，所述容納腔7的內(nèi)部也填入有冰晶混合物6。散熱桿4內(nèi)融解的冰晶混合物6不停向外傳遞，充分傳熱。在本實(shí)施例中，所述散熱桿4至少設(shè)有四根。MUR1040CT是快恢復(fù)二極管嗎？TO263封裝的快恢復(fù)二極管MURB2060CT
快恢復(fù)二極管的開(kāi)關(guān)電源漏極鉗位保護(hù)電路。TO263封裝的快恢復(fù)二極管MURB2060CT
這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問(wèn)題，為此，在電磁等原理基礎(chǔ)上，充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向，同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問(wèn)題，提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過(guò)程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為：反向恢復(fù)時(shí)間trr=ta+tb（ta為少數(shù)載流子存儲(chǔ)時(shí)間，tb為少數(shù)載流子復(fù)合時(shí)間）；軟度因子S=(表示器件反向恢復(fù)曲線的軟度)；反向恢復(fù)峰值電流：；反向恢復(fù)電荷。而導(dǎo)通參數(shù)為：反向重復(fù)峰值電壓URRM.；正向平均電流IF(AV)；正向峰值電壓UFM；正向均方根電流IF(RMS)和正向浪涌電流IFSM等。圖2（a）預(yù)彎后的銅底板（b）銅底板與DBC基板焊接后的合格品圖3FRED導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖這里需要注意的是：trr隨所加反向電壓UR的增加而增加，例如600V的FRED。TO263封裝的快恢復(fù)二極管MURB2060CT