而單向可控硅經觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種。可控硅產品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學科?！熬чl管交流技術”?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經非常成熟，質量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展?？煽毓柙趹秒娐分械淖饔皿w現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極。吉林IGBT單管可控硅（晶閘管）SCR系列
人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關斷時間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間，叫做關斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導通的晶閘管。總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導通。初始導通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。重慶中頻爐可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。
做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點?？焖倬чl管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了比較高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產品廣應用于大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調制器及直流電動車輛調速等領域。3．逆導晶閘管以往的為了便于調速采用直流供電，用直流開關動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。自有了，了逆導晶閘管不了上述缺點，而且還逆導晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯一只二極管而成，特點是能反向導通大電流。由于它的陽極和陰極接入反向并聯的二極管，可對電感負載關斷時產生的大電流、高電壓進行快速釋放。城市電車和地鐵機車采用逆導晶閘管控制和調節(jié)車速，能夠克服開關體積大、壽命短，而且低速運行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點，從而降低了功耗，提高了機車可靠性。
從而實際強觸發(fā)，加速了元件的導通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個P—N結組成的。每個結相當于一個電容器。結電壓急劇變化時，就有很大的位移電流流過元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用?？赡苁咕чl管誤導通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導通現象發(fā)生，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結結構。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數仍幾乎為零，不致使晶閘管誤導通。只是在電壓上升率進一步提高，結電容位移電流進一步增大，在短路點上產生電壓降足夠大時，晶閘管才能導通。具有短路發(fā)射結結構的晶閘管，用控制極電流觸發(fā)時，控制極電流首先也是從短路點流向陰極。只是當控制極電流足夠大，在短路點電阻上的電壓降足夠大，PN結正偏導通電流時，才同沒有短路發(fā)射結的元件一樣，可被觸發(fā)導通。因此，快速晶閘管的抗干擾能力較好。快速晶閘管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關斷時間*為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了**高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。
晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。semikron西門康SCR晶閘管原裝現貨供應；天津igbt供應商可控硅（晶閘管）富士IGBT
晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障。吉林IGBT單管可控硅（晶閘管）SCR系列
Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經觸發(fā)，即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求，即有選擇性。波長在——，都是光控晶閘管較為理想的光源。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。1、選用可控硅的額定電流時。吉林IGBT單管可控硅（晶閘管）SCR系列