河北IXYS艾賽斯二極管標(biāo)準(zhǔn)封裝

正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因為p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時。MEK95-06DA供應(yīng)快恢復(fù)二極管；河北IXYS艾賽斯二極管標(biāo)準(zhǔn)封裝

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。河北西門康可控硅二極管供應(yīng)橋式整流二極管MEO450-12DA；

半導(dǎo)體制成的二極管有什么作用1、整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關(guān)元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3、限幅元件二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔儯ü韫転?，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、繼流二極管在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機(jī)中起檢波作用。6、變?nèi)荻O管使用于電視機(jī)的高頻頭中。7、顯示元件用于電視機(jī)顯示器上。

若能運用元器件的某一特性去合理地解釋它在電路中的作用，說明電路分析很可能是正確的。例如，在上述電路分析中，只能用二極管的溫度特性才能合理解釋電路中VD1的作用。2）溫度補(bǔ)償電路的溫度補(bǔ)償是雙向的，即能夠補(bǔ)償由于溫度升高或降低而引起的電路工作的不穩(wěn)定性。3）分析溫度補(bǔ)償電路工作原理時，要假設(shè)溫度的升高或降低變化，然后分析電路中的反應(yīng)過程，得到正確的電路反饋結(jié)果。在實際電路分析中，可以只設(shè)溫度升高進(jìn)行電路補(bǔ)償?shù)姆治?，不必再分析溫度降低時電路補(bǔ)償?shù)那闆r，因為溫度降低的電路分析思路、過程是相似的，只是電路分析的每一步變化相反。4）在上述電路分析中，VT1基極與發(fā)射極之間PN結(jié)（發(fā)射結(jié)）的溫度特性與VD1溫度特性相似，因為它們都是PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，所以溫度補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)果比較好。5）在上述電路中的二極管VD1，對直流工作電壓+V的大小波動無穩(wěn)定作用，所以不能補(bǔ)償由直流工作電壓+V大小波動造成的VT1管基極直流工作電流的不穩(wěn)定性。5．故障檢測方法和電路故障分析這一電路中的二極管VD1故障檢測方法比較簡單，可以用萬用表歐姆檔在路測量VD1正向和反向電阻大小的方法。當(dāng)VD1出現(xiàn)開路故障時，三極管VT1基極直流偏置電壓升高許多。上海寅涵智能科技是快恢復(fù)二極管進(jìn)口廠商，種類齊全，價格優(yōu)惠。

晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode。二極管的正.負(fù)二個端子,(如圖)一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無論哪個方向都能流動電流。二極管原理二極管特性編輯二極管（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能?？煽毓璋雌湟_和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；貴州艾賽斯可控硅二極管代理貨源

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半導(dǎo)體二極管：半導(dǎo)體二極管是指利用半導(dǎo)體特性的兩端電子器件。常見的半導(dǎo)體二極管是PN結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體接觸二極管。它們的共同特點是伏安特性的不對稱性，即電流沿其一個方向呈現(xiàn)良好的導(dǎo)電性，而在相反方向呈現(xiàn)高阻特性?？捎米鳛檎鳌z波、穩(wěn)壓、恒流、變?nèi)荨㈤_關(guān)、發(fā)光及光電轉(zhuǎn)換等。利用高摻雜PN結(jié)中載流子的隧道效應(yīng)可制成超高頻放大或超高速開關(guān)的隧道二極管。正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關(guān)系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產(chǎn)生的外電場不足以使多子形成擴(kuò)散運動，這時的二極管實際上還沒有很好地導(dǎo)通，通常稱為"死區(qū)"，二極管相當(dāng)于一個極大的電阻，正向電流很小。當(dāng)正向電壓超過一定值后，內(nèi)電場被削弱，多子在外電場的作用下形成擴(kuò)散運動，這時，正向電流隨正向電壓的增大迅速增大，二極管導(dǎo)通。該電壓稱為門檻電壓(也稱閾值電壓)，用Vth表示。在室溫下，硅管的Vth約為0.5V，鍺管的Vth約為0.1V。二極管一旦導(dǎo)通后，隨著正向電壓的微小增加，正向電流會有極大的增加，此時二極管呈現(xiàn)的電阻很小，可認(rèn)為二極管具有恒壓特性。河北IXYS艾賽斯二極管標(biāo)準(zhǔn)封裝