IGBT模塊的結(jié)溫控制對(duì)于延長(zhǎng)模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對(duì)模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的安全性下降。當(dāng)結(jié)溫超過一定溫度時(shí)，模塊內(nèi)部元器件會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對(duì)模塊的電性能、可靠性、壽命和安全性等多個(gè)方面都會(huì)產(chǎn)生影響。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，需要對(duì)IGBT模塊的結(jié)溫進(jìn)行控制，以保證模塊的正常工作和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。對(duì)設(shè)備和人員的安全造成威脅。IGBT的額定電壓要求高于直流母線電壓的兩倍IGBT逆變器模塊型號(hào)齊全歡迎選購(gòu)。湖南SKM200GB128DIGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異
當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態(tài)交替工作。(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大。重慶SKM200GB128DIGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異各代的IGBT芯片都有自己適合工作的開關(guān)頻率，不能亂選型，IGBT頻率與型號(hào)的后綴相關(guān)。
北京時(shí)間10月9日，韓聯(lián)社周一援引韓國(guó)總統(tǒng)辦公室的官方消息報(bào)道稱，韓國(guó)兩大芯片巨頭三星電子、SK海力士將被允許無限期向其中國(guó)工廠供應(yīng)美國(guó)芯片設(shè)備，而無需獲得美國(guó)的單獨(dú)批準(zhǔn)。
韓國(guó)總統(tǒng)府周一表示，美國(guó)已決定允許向三星和SK海力士中國(guó)工廠出口半導(dǎo)體制造設(shè)備，無需另行審批。美國(guó)已將三星和SK海力士在中國(guó)的芯片工廠指定為“經(jīng)驗(yàn)證終用戶(VEU)”，這意味著美國(guó)出口企業(yè)可以將指定產(chǎn)品出口給預(yù)先批準(zhǔn)的企業(yè)，從而減輕了這兩家企業(yè)的許可負(fù)擔(dān)。
韓國(guó)總統(tǒng)府經(jīng)濟(jì)首席秘書崔相穆(Choi Sang-mok)周一在新聞發(fā)布會(huì)上表示：“美國(guó)的決定，意味著我們半導(dǎo)體企業(yè)重要的貿(mào)易問題得到了解決?！贝尴嗄路Q，美國(guó)已將這一決定告知了三星和SK海力士，立即生效。
其實(shí)，美國(guó)對(duì)韓國(guó)芯片制造商的技術(shù)出口管制豁免已在外界的預(yù)期中。環(huán)球網(wǎng)在9月底報(bào)道，美國(guó)預(yù)計(jì)將無限期延長(zhǎng)對(duì)三星和SK海力士公司在華工廠進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備的豁免期限。這項(xiàng)豁免權(quán)將于今年10月到期。
SK海力士在一份聲明中表示：“我們對(duì)美國(guó)延長(zhǎng)出口管制規(guī)定豁免的決定表示歡迎。我們相信這一決定將有助于穩(wěn)定全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?！?
截至發(fā)稿，三星尚未就此置評(píng)。
進(jìn)行逆變器設(shè)計(jì)時(shí)，IGBT模塊的開關(guān)損耗評(píng)估是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。而常見的損耗評(píng)估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊(cè)中IGBT或者Diode的開關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準(zhǔn)確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)板和母排對(duì)IGBT模塊進(jìn)行損耗測(cè)試和評(píng)估的方法，通過簡(jiǎn)單的操作即可得到更精確的損耗評(píng)估。一般數(shù)據(jù)手冊(cè)中，都會(huì)給出特定條件下，IGBT及Diode開關(guān)損耗的典型值。一般來講這個(gè)值在實(shí)際設(shè)計(jì)中并不能直接拿來用。在英飛凌模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中，我們可以看到，開關(guān)損耗典型值前面，有相當(dāng)多的限制條件，這些條件描述了典型值測(cè)試平臺(tái)。而實(shí)際設(shè)計(jì)的系統(tǒng)是不可能和規(guī)格書測(cè)試平臺(tái)一模一樣的。兩者之間的差異，主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：IGBT的開關(guān)損耗不依賴于驅(qū)動(dòng)電阻，也依賴于驅(qū)動(dòng)環(huán)路的電感，而實(shí)際用戶系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)環(huán)路電感常常不同于數(shù)據(jù)手冊(cè)的測(cè)試平臺(tái)的驅(qū)動(dòng)環(huán)路電感。驅(qū)動(dòng)中加入柵極和發(fā)射極電容是很常見的改善EMC特性的設(shè)計(jì)方法，而使用該柵極電容會(huì)影響IGBT的開關(guān)過程中電流變化率dIc/dt和電壓變化率dVce/dt，從而影響IGBT的開關(guān)損耗實(shí)際系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電壓也常常不同于數(shù)據(jù)手冊(cè)中的測(cè)試驅(qū)動(dòng)電壓，在IGBT模塊的數(shù)據(jù)手冊(cè)中，開關(guān)損耗通常在±15V的柵極電壓下測(cè)量。Infineon的IGBT，除了電動(dòng)汽車用的650V以外，都是工業(yè)等級(jí)的。
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應(yīng)用，在較高頻率的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。2、使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)。Infineon有8種IGBT芯片供客戶選擇。云南MACMIC宏微IGBT模塊優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫存
英飛凌(Infineon)是德國(guó)西門子半導(dǎo)體集體(Siemens)的單獨(dú)上市公司。前身也叫歐派克。湖南SKM200GB128DIGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異
圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個(gè)管芯并聯(lián)時(shí)，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實(shí)際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個(gè)模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實(shí)際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個(gè)IGBT管芯，后面的“1”表示同一個(gè)模塊塑殼之中。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個(gè)半橋模塊構(gòu)成全橋，3個(gè)半橋模塊也構(gòu)成三相橋。因此，半橋模塊有時(shí)候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會(huì)標(biāo)識(shí)為E1C2，有的模塊只在等效電路圖上標(biāo)識(shí)引腳編號(hào)等。圖3半橋模塊的內(nèi)部等效電路半橋模塊的電流/電壓規(guī)格指的均是其中的每一個(gè)模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊，表示其中的2個(gè)IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受比較高2400V的瞬間直流電壓。不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標(biāo)注的。3.全橋模塊，4in1模塊全橋模塊的內(nèi)部等效電路如圖4所示。圖4全橋模塊內(nèi)部等效電路全橋（Fullbridge）模塊也稱為4in1模塊，用于直接構(gòu)成全橋電路。湖南SKM200GB128DIGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異