機(jī)械DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)

在DDR的信號(hào)測(cè)試中，還有 一 個(gè)要解決的問(wèn)題是怎么找到相應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)探 測(cè)。由于DDR的信號(hào)不像PCle、SATA、USB等總線 一 樣有標(biāo)準(zhǔn)的連接器，通常都是直接 的BGA顆粒焊接，而且JEDEC對(duì)信號(hào)規(guī)范的定義也都是在內(nèi)存顆粒的BGA引腳上，這就 使得信號(hào)探測(cè)成為一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。

比如對(duì)于DIMM條的DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試來(lái)說(shuō)，雖然在金手指上測(cè)試是方便的找到 測(cè)試點(diǎn)的方法，但是測(cè)得的信號(hào)通常不太準(zhǔn)確。原因是DDR總線的速率比較高，而且可能 經(jīng)過(guò)金手指后還有信號(hào)的分叉，這就造成金手指上的信號(hào)和內(nèi)存顆粒引腳上的信號(hào)形狀差異很大。 快速 DDR4協(xié)議解碼功能.機(jī)械DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

通常我們會(huì)以時(shí)鐘為基準(zhǔn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)疊加形成眼圖，但這種簡(jiǎn)單的方法對(duì)于DDR信 號(hào)不太適用。DDR總線上信號(hào)的讀、寫(xiě)和三態(tài)都混在一起，因此需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行分離后再進(jìn) 行測(cè)量分析。傳統(tǒng)上有以下幾種方法用來(lái)進(jìn)行讀/寫(xiě)信號(hào)的分離，但都存在一定的缺點(diǎn)。

(1)根據(jù)讀/寫(xiě)Preamble的寬度不同進(jìn)行分離(針對(duì)DDR2信號(hào))。Preamble是每個(gè)Burst的數(shù)據(jù)傳輸開(kāi)始前，DQS信號(hào)從高阻態(tài)到發(fā)出有效的鎖存邊沿前的  一段準(zhǔn)備時(shí)間，有些芯片的讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序的Preamble的寬度可能是不一樣的，因此可以  用示波器的脈沖寬度觸發(fā)功能進(jìn)行分離。但由于JEDEC并沒(méi)有嚴(yán)格規(guī)定寫(xiě)時(shí)序的  Preamble寬度的上限，因此如果芯片的讀/寫(xiě)時(shí)序的Preamble的寬度接近則不能進(jìn)行分  離。另外，對(duì)于DDR3來(lái)說(shuō)，讀時(shí)序的Preamble可能是正電平也可能是負(fù)電平；對(duì)于  DDR4來(lái)說(shuō)，讀/寫(xiě)時(shí)序的Preamble幾乎一樣，這都使得觸發(fā)更加難以設(shè)置。 機(jī)械DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸4代DDR之間有什么區(qū)別？

在實(shí)際探測(cè)時(shí)，對(duì)于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信號(hào)(DDR1和DDR2的 DQS還是單端信號(hào)，DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探頭測(cè)試。DQ信 號(hào)是單端信號(hào)，所以用差分或者單端探頭測(cè)試都可以。另外，DQ信號(hào)的數(shù)量很多，雖然逐 個(gè)測(cè)試是嚴(yán)格的方法，但花費(fèi)時(shí)間較多，所以有時(shí)用戶會(huì)選擇一些有代表性的信號(hào)進(jìn)行測(cè) 試，比如選擇走線長(zhǎng)度長(zhǎng)、短、中間長(zhǎng)度的DQ信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

還有些用戶想在溫箱里對(duì)DDR信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，比如希望的環(huán)境溫度變化范圍為-40～85℃,這對(duì)于使用的示波器探頭也是個(gè)挑戰(zhàn)。 一般示波器的探頭都只能在室溫下工 作，在極端的溫度條件下探頭可能會(huì)被損壞。如果要在溫箱里對(duì)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，需要選擇一 些特殊的能承受高溫的探頭。比如一些特殊的差分探頭通過(guò)延長(zhǎng)電纜可以在-55～150℃ 的溫度范圍提供12GHz的測(cè)量帶寬；還有一些寬溫度范圍的單端有源探頭，可以在-40~ 85℃的溫度范圍內(nèi)提供1.5GHz的測(cè)量帶寬。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

DDR SDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前 DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線 上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率 達(dá)不到這個(gè)理想值。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件提供了多種可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)驗(yàn)證的關(guān)鍵功能。

為了進(jìn)行更簡(jiǎn)單的讀寫(xiě)分離，Agilent的Infiniium系列示波器提供了一種叫作InfiniiScan 的功能，可以通過(guò)區(qū)域（Zone）定義的方式把讀寫(xiě)數(shù)據(jù)可靠分開(kāi)。

根據(jù)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的建立保持時(shí)間不同，Agilent獨(dú)有的InfiniiScan功能可以通過(guò)在屏幕上畫(huà) 出幾個(gè)信號(hào)必須通過(guò)的區(qū)域的方式方便地分離出讀、寫(xiě)數(shù)據(jù)，并進(jìn)一步進(jìn)行眼圖的測(cè)試。

信號(hào)的眼圖。用同樣的方法可以把讀信號(hào)的眼圖分離出來(lái)。

除了形成眼圖外，我們還可以利用示波器的模板測(cè)量功能對(duì)眼圖進(jìn)行定量分析，

用戶可以根據(jù)JEDEC的要求自行定義一個(gè)模板對(duì)讀、寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行模板測(cè)試，如 果模板測(cè)試Fail,則還可以利用Agilent示波器提供的模板定位功能定位到引起Fail的波形段。 DDR原理及物理層一致性測(cè)試；海南智能化多端口矩陣測(cè)試DDR一致性測(cè)試

DDR-致性測(cè)試探測(cè)和夾具；機(jī)械DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試

DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來(lái)越復(fù)雜，主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面：波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括：Overshoot（過(guò)沖）；Undershoot（下沖）；SlewRate（斜率）；RiseTime（上升時(shí)間）和FallTime（下降時(shí)間）；高低時(shí)間；DutyCycle（占空比失真）等，測(cè)試較簡(jiǎn)單，在此不再贅述。抖動(dòng)測(cè)試則越來(lái)越復(fù)雜，以前一般只是測(cè)試Cycle-CycleJitter（周期到周期抖動(dòng)），但是當(dāng)速率超過(guò)533MT/S的DDR2&3時(shí)，測(cè)試內(nèi)容相當(dāng)多，不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對(duì)這些抖動(dòng)參數(shù)的測(cè)試需要用軟件實(shí)現(xiàn)，比如Agilent的N5413ADDR2時(shí)鐘表征工具。測(cè)試建議用系統(tǒng)帶寬4GHz以上的差分探頭和示波器，測(cè)試點(diǎn)在DIMM上靠近DRAM芯片的位置，被測(cè)系統(tǒng)建議運(yùn)行MemoryTest類的總線加壓軟件。 機(jī)械DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸