長春無線溫度傳感器哪家好

來源: 發(fā)布時間:2023-11-14

    空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時硅的厚度減小,繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時,溫度傳感器的基作完成。在一實施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力,氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。溫度傳感器好的供應(yīng)商,認準深圳美信美。長春無線溫度傳感器哪家好

長春無線溫度傳感器哪家好,溫度傳感器

    顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。通常。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)。誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進行保護。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)。成都雙列直插型溫度傳感器工藝深圳美信美溫度傳感器品質(zhì)好。

長春無線溫度傳感器哪家好,溫度傳感器

    在一實施例中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則。以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)??梢詫囟葌鞲衅鲀奢敵龆俗幼鳛槔涠饲冶3掷涠藴囟群愣?,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度,當環(huán)境溫度發(fā)生變化時,冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢會發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度,即當前環(huán)境溫度。通常,形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時。

    上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡化了制備過程,節(jié)約制備時間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測溫效果,使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖2c所示,基底包括硅片20和氧化硅薄膜23,硅片20和氧化硅薄膜之間形成有空腔22。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜23上且位于空腔上方。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖3和圖4所示,氧化硅薄膜23上淀積有一層金屬層30,該金屬層30為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻??孔V的深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進口溫度傳感器。

長春無線溫度傳感器哪家好,溫度傳感器

    本文所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖所示,其步驟包括:步驟s:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示,獲取一硅晶片,從硅片上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實施例中,先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層,再以光刻膠作為掩膜版對硅片進行刻蝕形成若干溝槽。在本實施例中,刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕,具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能,其精度可達亞微米級別,通過干法刻蝕,可以得到形態(tài)較好的溝槽,尤其是溝槽尺寸較小時利用干法刻蝕效果更佳。可通過調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽,其中,溝槽的寬度可為~μm,溝槽的深度可為~μm,相鄰溝槽之間的間隔可為~μm。溝槽的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離。如果溝槽為圓形,則溝槽的寬度為其直徑,如果溝槽為正方形,則溝槽的寬度為其對角的距離。純原無拆封的溫度傳感器,只找深圳美信美科技?;葜莩笠?guī)模溫度傳感器哪家劃算

深圳美信美溫度傳感器品質(zhì)棒棒的。長春無線溫度傳感器哪家好

    在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖4所示)。金屬鉑層30外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層40,該第二金屬層40可為金屬鋁層,用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器,利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。在一實施例中,因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成有一層鈍化層,可對金屬層進行保護。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層。長春無線溫度傳感器哪家好