無(wú)錫數(shù)字溫度傳感器精度

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-14

    會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì),不同類(lèi)型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同,將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí),在回路中有電流產(chǎn)生,半導(dǎo)體兩端的溫差不同時(shí),所產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)不同。在本方案中,采用n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián),可以增強(qiáng)溫度傳感器的靈敏度。在一實(shí)施例中,可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度,當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí),冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度,即當(dāng)前環(huán)境溫度。通常,形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s136:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。進(jìn)口的現(xiàn)貨溫度傳感器供應(yīng),找深圳市美信美。無(wú)錫數(shù)字溫度傳感器精度

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    利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常,形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s133:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過(guò)程為:步驟s134:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖5和圖6所示,在氧化硅薄膜23上淀積一層多晶硅層50,該多晶硅層50包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類(lèi)型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。江蘇通訊溫度傳感器封裝變速器油溫傳感器汽車(chē)系統(tǒng)中也是十分常見(jiàn)的。

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    即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線(xiàn)與鋁層連接以通過(guò)鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器,利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。在一實(shí)施例中,因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成有一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)有通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層。第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上形成有一層多晶硅層。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。

    如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見(jiàn)圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線(xiàn)與鋁層連接以通過(guò)鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷(xiāo)售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車(chē)、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。紅外傳感器是非接觸式傳感器。

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    且所述硅片在空腔上方連接起來(lái),將所述空腔封閉。對(duì)開(kāi)設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?,?dāng)硅片被加熱到一定溫度時(shí),硅原子的振動(dòng)能較大,導(dǎo)致原子的移動(dòng)能加強(qiáng),硅原子會(huì)發(fā)生遷移。由于硅片上開(kāi)設(shè)有溝槽,且溝槽側(cè)壁的間距較小,當(dāng)硅原子遷移運(yùn)動(dòng)達(dá)到一定程度時(shí),硅原子會(huì)進(jìn)入溝槽內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽會(huì)發(fā)生形變,溝槽上部被硅封閉,若干溝槽中間部位相互連通,形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間,空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開(kāi)。在一實(shí)施例中,熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時(shí)間不超過(guò)min。在本實(shí)施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時(shí),熱退火需要在一隔離環(huán)境中進(jìn)行,如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過(guò)程中硅不會(huì)與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在本實(shí)施例中。熱退火在氫氣環(huán)境中進(jìn)行。步驟s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。醫(yī)療級(jí)溫度傳感器 IC 的出廠標(biāo)準(zhǔn)——快速、精細(xì)及非接觸測(cè)量。天津巨大規(guī)模溫度傳感器IC

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    圖為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷(xiāo)售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車(chē)、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容更加透徹。除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖所示,其步驟包括:步驟s:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示,獲取一硅晶片。無(wú)錫數(shù)字溫度傳感器精度

標(biāo)簽: 集成電路 溫度傳感器