石家莊手機溫度傳感器IC

來源: 發(fā)布時間:2023-10-14

    第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖5和圖6所示,氧化硅薄膜23上形成有一層多晶硅層50,該多晶硅層50包括并排且間隔設置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設置,具有相同的間距。在多晶硅層50上淀積有第三金屬層60,第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)61連接,金屬結(jié)構(gòu)61具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當具有m個多晶硅條時,需要m-1個金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此。溫度傳感器芯片現(xiàn)貨商,美信美科技就是牛。石家莊手機溫度傳感器IC

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    本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。通過熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如圖c所示)。在℃~℃的高溫環(huán)境中,通過外部供給氧氣或者水蒸氣使之與硅發(fā)生化學反應,可以在空腔上方得到一層熱生長的氧化層。由于當氧化層達到一定厚度時,氧化反應幾乎停止,因此當難以通過一次氧化工藝將空腔上方的硅全部氧化成氧化硅時,需要通過多次氧化步驟實現(xiàn)將空腔上方的硅全部氧化,具體為,進行次熱氧化生成一層氧化硅薄膜后,空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時硅的厚度減小,繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時,溫度傳感器的基作完成。在一實施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應力,氧化硅薄膜容易斷裂。廣州光纖溫度傳感器精度BMS中溫度傳感器的作用與傳統(tǒng)燃油車發(fā)動機冷卻液中溫度傳感器作用和原理是相似的。

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    可以時刻提醒你所居住環(huán)境或者辦公室的溫度、濕度、空氣質(zhì)量、何時需要睡覺、何時需要通風換氣,是不是非常的科學又貼心?這款名叫CubeSensors的傳感器便可以實現(xiàn)以上功能。自動門遙控器是什么自動門遙控器優(yōu)點自動門遙控器(AutodoorRemoteController)是利用無線電信號對遠方的各種機構(gòu)進行控制的遙控設備。這些信號被遠方的接收設備接收后,可以指令或驅(qū)動其它各種相應的機械或者電子設備,去完成各種操作,如閉合電路、移動手柄、開動電機,之后再由這些機械進行需要的操作。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務,誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。

    使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。該第二金屬層可為金屬鋁層,用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子。溫度傳感器是較早開發(fā),應用較廣的一類傳感器。

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    可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度,當環(huán)境溫度發(fā)生變化時,冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢會發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度,即當前環(huán)境溫度。通常,形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對應溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時,需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡化了制備過程。節(jié)約制備時間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導熱率低,將測溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測溫效果。IC型溫度傳感器(溫度集成電路)是一種數(shù)字溫度傳感器。太原特大規(guī)模溫度傳感器選哪家

溫度傳感器是指能感受溫度然后轉(zhuǎn)換成可用輸出信號的傳感器。石家莊手機溫度傳感器IC

    在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。石家莊手機溫度傳感器IC