ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動(dòng)態(tài)電阻(RDYN)。RDYN是反向?qū)J较耉F–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊,給定電壓下,低動(dòng)態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看,ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗(即動(dòng)態(tài)電阻)低,則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流,減少流入受保護(hù)器件的電流,從而降低損壞的可能性。如果ESD保護(hù)二極管阻抗(即動(dòng)態(tài)電阻)低,則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流到地(GND),從而減少流入受保護(hù)器件的電流。因此,ESD保護(hù)二極管有助于防止手保護(hù)啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖(TLP)測(cè)試用于納秒級(jí)寬度短脈沖,根據(jù)隨時(shí)間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓(I-V)特性。下圖中,TLP I和TLP V分別電流和電壓。當(dāng)靜電電壓達(dá)到一定程度時(shí),會(huì)通過(guò)電子設(shè)備的接口、引腳等部位放電。深圳ESD保護(hù)二極管SR15D3BL型號(hào)怎么樣
ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)保護(hù)二極管***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)合:集成電路(IC)和半導(dǎo)體器件:在IC制造、封裝、測(cè)試以及**終產(chǎn)品組裝過(guò)程中,ESD保護(hù)二極管能夠保護(hù)脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對(duì)高集成度、低功耗和高速的IC,ESD保護(hù)二極管的作用尤為重要。消費(fèi)電子設(shè)備:包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、相機(jī)、耳機(jī)等,這些設(shè)備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。ESD保護(hù)二極管SR15D3BL售價(jià)ESD保護(hù)二極管的電壓降非常低,可以在保護(hù)電子產(chǎn)品的同時(shí),不影響其正常工作。
IPP是ESD保護(hù)二極管本身?yè)p壞之前可以分流的峰值脈沖電流。電壓低于工作峰值反向電壓時(shí),ESD保護(hù)二極管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向電壓,也只有小于規(guī)定漏電流的電流流過(guò)。)設(shè)計(jì)師可以用這個(gè)參數(shù)作為指導(dǎo),確保其高于被保護(hù)信號(hào)線的最大工作電壓。CT是在指定反向電壓和頻率下施加小信號(hào)時(shí),二極管端子上的等效電容。總電容是二極管的結(jié)電容與其封裝的寄生電容之和。結(jié)電容隨反向電壓的增加而減少。動(dòng)態(tài)電阻是指ESD保護(hù)二極管隨著反向電壓的增加反向擊穿時(shí),VBR與VC之間VF–IF 曲線的電流斜率。下面描述的動(dòng)態(tài)電阻和鉗位電壓表示ESD保護(hù)二極管的ESD性能。
TVS二極管(ESD保護(hù)二極管)的主要電氣特性:正常工作狀態(tài)(無(wú)ESD事件)的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接,正常工作時(shí),其兩端電壓低于反向擊穿電壓(V(BR))。因此,ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí),pn結(jié)形成耗盡層,二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí),以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài):正常工作狀態(tài)(無(wú)ESD事件)的主要特性。ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓(V(BR))是否充分高于被保護(hù)信號(hào)線的振幅(最大電壓),ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓(V(BR))時(shí),漏電流增加。電壓接近V(BR)時(shí),漏電流可能使保護(hù)信號(hào)線的波形失真。反向電流(I(R))隨反向電壓(V(R))成指數(shù)增長(zhǎng)。選擇V(RWM)高于被保護(hù)信號(hào)線振幅的ESD保護(hù)二極管非常重要。ESD保護(hù)二極管”用于便攜式電子設(shè)備:如智能手機(jī)、平板電腦等,在生產(chǎn)和使用過(guò)程中容易受到靜電的影響。
ESD保護(hù)二極管在移動(dòng)通信設(shè)備、Wi-Fi模塊和藍(lán)牙設(shè)備中,通信端口的保護(hù)至關(guān)重要。這些設(shè)備的天線接口和信號(hào)傳輸路徑很容易受到靜電放電的干擾,使用ESD保護(hù)二極管能在極短時(shí)間內(nèi)響應(yīng)靜電放電事件,防止過(guò)高的電壓進(jìn)入電路,從而保護(hù)射頻前端和基帶處理器等關(guān)鍵組件。電源線路也是靜電放電容易侵入的路徑之一。ESD保護(hù)二極管可用于保護(hù)直流電源線和交流電源線,避免靜電放電對(duì)電源管理IC和其他關(guān)鍵電源電路的影響。在這種應(yīng)用中,ESD保護(hù)二極管被放置在電源輸入端,當(dāng)靜電放電發(fā)生時(shí),二極管會(huì)迅速分流靜電電荷,防止電源電壓劇烈波動(dòng)。靜電放電測(cè)試:模擬靜電放電事件,測(cè)試二極管的響應(yīng)時(shí)間和保護(hù)能力。新型ESD保護(hù)二極管SR15D3BL型號(hào)近期價(jià)格
ESD靜電保護(hù)二極管被應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中,如手機(jī)、電視、電腦、數(shù)碼相機(jī)等。深圳ESD保護(hù)二極管SR15D3BL型號(hào)怎么樣
EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管:它由三個(gè)二極管組成:低電容二極管1和二極管2(電容分別為C(1)和C(2))和高電容二極管3(電容為C(3))。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小,反向擊穿電壓(V(BR))高,而二極管3的pn結(jié)面積大,并且有足夠大的反向擊穿電壓(V(BR))。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1,加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2,然后反向流過(guò)二極管3,因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常,二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小,因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5(a)所示時(shí),ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此,這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5(b)顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián),可以減小組合電容。此外,由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定,因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線調(diào)整二極管3的V(BR),從而提高ESD抗擾度。深圳ESD保護(hù)二極管SR15D3BL型號(hào)怎么樣