陜西光刻機優(yōu)惠價格

我們的研發(fā)實力：EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，讓我們深入了解他們的獨特需求。我們專業(yè)的研發(fā)工具提供zhuo越的技術(shù)和*大的靈活性，使大學、研究機構(gòu)和技術(shù)開發(fā)合作伙伴能夠參與多個研究項目和應(yīng)用項目。此外，研發(fā)設(shè)備與EVG的合心技術(shù)平臺無縫集成，這些平臺涵蓋從研發(fā)到小規(guī)模和大批量生產(chǎn)的整個制造鏈。研發(fā)和權(quán)面生產(chǎn)系統(tǒng)之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠?qū)⑵淞鞒踢w移到批量生產(chǎn)環(huán)境。以客戶的需求為導(dǎo)向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力來源。在全球范圍內(nèi)，我們?yōu)樵S多用戶提供了量產(chǎn)型的光刻機系統(tǒng)，并得到了他們的無數(shù)好評。陜西光刻機優(yōu)惠價格

IQAligner特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''由于外部晶圓楔形測量，實現(xiàn)了非接觸式接近模式增強的振動隔離，有效減少誤差各種對準功能提高了過程靈活性跳動控制對準功能，提高了效率多種晶圓尺寸的易碎，薄或翹曲的晶圓處理高地表形貌晶圓加工經(jīng)驗手動基板裝載能力遠程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性IQAligner附加功能：紅外對準–透射和/或反射IQAligner技術(shù)數(shù)據(jù)：楔形補償：全自動軟件控制非接觸式先進的對準功能：自動對準；大間隙對準；跳動控制對準；動態(tài)對準中國澳門光刻機競爭力怎么樣HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準，在可編程位置自動定位。

EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補償全自動軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進的對準功能：手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準；EVG®610光刻機系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)是“無紫外線”。

IQAligner®NT曝光設(shè)定：硬接觸/軟接觸/接近模式/柔性模式楔形補償：全自動軟件控制；非接觸式IQAligner®NT曝光選項：間隔曝光/洪水曝光先進的對準功能：自動對準暗場對準功能/完整的明場掩模移動（FCMM）大間隙對準跳動控制對準IQAligner®NT系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除如果您需要確認準確的產(chǎn)品的信息，請聯(lián)系我們。如果需要鍵合機，請看官網(wǎng)信息。EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，能深入了解他們的獨特需求。

EVG也提供量產(chǎn)型掩模對準系統(tǒng)。對于在微米范圍內(nèi)的光刻圖形，掩模對準器是ZUI具成本效益的技術(shù)，與其他解決方案相比，每層可節(jié)省30％以上的成本，這對用戶來說是至關(guān)重要的。EVG的大批量制造系統(tǒng)旨在以ZUI佳的成本效率與ZUI高的技術(shù)標準相結(jié)合，并由卓YUE的全球服務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。ZUI重要的是，大焦深曝光光學系統(tǒng)完美匹配大批量生產(chǎn)中的厚抗蝕劑，表面形貌和非平面基片的圖形。在全球范圍內(nèi)，我們?yōu)樵S多客戶提供了量產(chǎn)型的光刻機系統(tǒng)，得到了他們的無數(shù)好評。EVG的大批量制造系統(tǒng)目的是在以蕞佳的成本效率與蕞高的技術(shù)標準相結(jié)合，為全球服務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。貴州光刻機價格怎么樣

可以使用用于壓印光刻的工具，例如紫外光納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。陜西光刻機優(yōu)惠價格

光刻機處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG所有光刻設(shè)備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。陜西光刻機優(yōu)惠價格