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    所述支撐條431和所述第二支撐條432一一平行對應(yīng)設(shè)置，所述連接部433活動連接所述支撐條431和所述第二支撐條432，所述支撐條431固定設(shè)置于所述底座41上，所述接觸部434均勻設(shè)置在所述第二支撐條432上。同時可通過設(shè)置所述支撐條431的高度或所述支撐條431的固定位置從而調(diào)節(jié)所述底支撐件43的高度，如通過將上述支撐條431的兩端固定在兩所述豎直平板421上。較佳的，所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置有磁性組，所述支撐條431和所述第二支撐條432在所述磁性組提供的磁性斥力作用下具有調(diào)節(jié)間隙。所述磁性組包括磁性件435和第二磁性件436，所述磁性件435和所述第二磁性件436分別設(shè)置于所述支撐條431和所述第二支撐條432上，且所述磁性件435和所述第二磁性件436之間具有磁性斥力，從而使所述第二支撐條432懸浮于所述支撐條431的上方。所述連接部433設(shè)置有限位孔437，所述限位孔437設(shè)置為腰型孔，所述支撐條431的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干限位塊438，所述第二支撐條432的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干第二限位塊439，所述限位塊438和所述第二限位塊439一一對應(yīng)設(shè)置，對應(yīng)設(shè)置的所述限位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置在同一所述連接部433的所述限位孔437內(nèi)。池州半導(dǎo)體減薄用清洗劑銷售公司減薄清洗劑，讓您的產(chǎn)品更加完美，滿足高精度要求。

    磁轉(zhuǎn)子12放置在待加工部件20的待加工表面上，用于通過旋轉(zhuǎn)對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨，對待加工表面進行減薄。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此，可以降低拋光減薄過程中對待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力，降低待加工部件20如inp基晶圓的機械加工損傷?？蛇x地，本發(fā)明實施例中通過光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤10。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此，在其他實施例中，待加工部件20和托盤10還可以采用其他膠體進行鍵合固定?；诖?，如圖2所示，本發(fā)明實施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14，該熱板14設(shè)置在托盤10底部，用于對托盤10進行加熱，以使待加工部件20與托盤10鍵合固定。具體地，將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，然后在托盤10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，之后，將托盤10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上，將待加工部件20光刻膠面和托盤10光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar壓強于待加工部件20上進行鍵合，鍵合時間20min。本發(fā)明實施例中，采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110，來對待加工部件20的待加工表面進行拋光。需要說明的是。

    在本發(fā)明的一個實施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發(fā)明的一個實施例中，如圖3所示，磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121，以通過研磨層121對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨。當(dāng)然，本發(fā)明并不僅限于此，在其他實施例中，可以根據(jù)實際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀?？蛇x地，研磨層121為金屬氧化物層，進一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層。可選地，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實施例中，如圖4所示，磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，如沿逆時針或順時針方向旋轉(zhuǎn)，并且，磁轉(zhuǎn)子12的長度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對整個待加工表面進行研磨。本發(fā)明實施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件?？刂撇考c磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作，以對待加工表面交替進行拋光和減薄。其中，控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作?？蛇x地，控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm～200rpm。去除多余涂層，減薄用清洗劑是您不可或缺的好幫手。

    且所述限位塊438和所述第二限位塊439均可在所述限位孔437內(nèi)移動，通過所述連接部433的限位效果，避免所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力作用下產(chǎn)生脫離，從而使所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力和所述連接部433的限位力作用下保持平衡。一般的，所述位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置為圓柱型，從而便于所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述限位孔437內(nèi)的移動。當(dāng)放置于所述底支撐件43上的玻璃受到?jīng)_擊或振動時，所述支撐條431可相對于所述第二支撐條432作水平方向的偏移移動，或所述限位塊438和所述第二限位塊439均在所述限位孔437內(nèi)移動，使所述支撐條431可相對于所述第二支撐條432作豎直方向的移動，從而可實現(xiàn)對各個方向上沖擊力或振動的吸收緩沖效果，提高玻璃的安全性。較佳的，所述限位塊438和所述第二限位塊439可設(shè)置為螺釘，所述限位孔437寬度配合所述螺釘?shù)穆菁y直徑設(shè)置，在所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置螺紋孔，通過將所述限位塊438和所述第二限位塊439與所述螺紋孔螺紋連接，從而實現(xiàn)所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述支撐條431和所述第二支撐條432上的固定。通過將所述限位塊438和所述第二限位塊439設(shè)置為螺釘。選擇減薄用清洗劑，輕松應(yīng)對各種涂層問題，提升工作效率。廣東半導(dǎo)體減薄用清洗劑按需定制

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    降低待加工部件20如inp基晶圓的機械加工損傷。由于本發(fā)明實施例中采用光刻膠對托盤和待加工部件進行了固定，因此，對待加工部件的待加工表面進行拋光和減薄之后，還包括：對待加工部件進行清洗；采用特定溶液對光刻膠進行腐蝕，以將待加工部件與托盤分離。具體地，在完成拋光和減薄后，可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對待加工部件20進行清洗，用di水沖洗干凈，40℃的氮氣吹干。之后，將清洗后的待加工部件20和托盤10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盤10自動分離，取出待加工部件20后清洗干凈即可。本發(fā)明實施例提供的方法，還包括：在磁轉(zhuǎn)子運行一段時間后，更換磁轉(zhuǎn)子。如磁轉(zhuǎn)子12工作1小時后，可以將磁轉(zhuǎn)子12更換為新的磁轉(zhuǎn)子，以使磁轉(zhuǎn)子與待加工表面貼合緊密，避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉(zhuǎn)子形變誤差造成的加工精度失真。本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。對所公開的實施例的上述說明。紹興減薄用清洗劑銷售廠家