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    LCD清洗劑光學(xué)鏡片清洗劑芯片模塊清洗劑清洗劑的清洗對(duì)象，包括各種電子元器件、CCD和CMOS圖像感應(yīng)芯片及模塊、半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置零件和腔體、醫(yī)療設(shè)備零部件、LCD/OLED顯示器、光學(xué)件、鏡片、精密加工零部件等。由于HFEs清洗劑與HCFC-141b性能接近，使用氫氟醚清洗劑進(jìn)行替代的一個(gè)好處是可直接使用原有設(shè)備和工藝，無(wú)須增加太多的投資，對(duì)生產(chǎn)的擾動(dòng)也較小。但目前我國(guó)市場(chǎng)上的HFEs清洗劑幾乎均為進(jìn)口，價(jià)格相對(duì)較高。目前主要用于高附加值零件的清洗和一些特殊要求的清洗場(chǎng)合?？蓮囊韵聝蓚€(gè)方面著手，提高HFEs清洗劑使用的經(jīng)濟(jì)性。一是通過(guò)完善清洗工藝加強(qiáng)對(duì)HFEs清洗劑的蒸餾回收和再生，提高重復(fù)利用率；二是利用與其他溶劑的良好相溶性，添加一些價(jià)廉易得、清洗性能強(qiáng)的溶劑進(jìn)行復(fù)配，或與其他一些相對(duì)便宜的清洗劑，如碳?xì)淙軇?、醇醚?lèi)溶劑等組合實(shí)現(xiàn)清洗操作，這樣既可有效降低HFEs的消耗，減少運(yùn)行成本，也可提高清洗效果。目前我司提供清LCD清洗劑光學(xué)鏡片清洗劑芯片模塊清洗劑型號(hào)有以下:ENASOLV2004清洗劑ENASOLV365az精密電子清洗劑ENASOLV氫氟醚系列清洗劑產(chǎn)品具體數(shù)據(jù)資料請(qǐng)聯(lián)系下方人員。哪家減薄用清洗劑溶劑如何正確使用減薄用清洗劑的。

    故所述控制器在從所述輔助厚度測(cè)量?jī)x接收的玻璃厚度超出目標(biāo)厚度的公差范圍時(shí)，可再次控制所述玻璃加工治具4回到所述蝕刻區(qū)3，并且控制玻璃在所述蝕刻區(qū)3中再次經(jīng)歷減薄處理，以將玻璃處理為目標(biāo)厚度。同時(shí)通過(guò)所述輔助厚度測(cè)量?jī)x提前測(cè)量待經(jīng)歷減薄處理的玻璃厚度，可與所述主厚度測(cè)量?jī)x32檢測(cè)的初始厚度作對(duì)比，可判斷所述主厚度測(cè)量?jī)x32是否失靈，從而在后期根據(jù)所述輔助厚度測(cè)量?jī)x的檢測(cè)數(shù)據(jù)判斷是否需再次進(jìn)入所述腔室31。具體的，當(dāng)所述輔助厚度測(cè)量?jī)x檢測(cè)厚度與所述主厚度測(cè)量?jī)x32檢測(cè)的初始檢測(cè)厚度不在公差范圍之內(nèi)，可判斷所述主厚度測(cè)量?jī)x32失靈；在當(dāng)后期減薄后所述輔助厚度測(cè)量?jī)x的檢測(cè)厚度不符合目標(biāo)厚度時(shí)，可判斷所述主厚度測(cè)量?jī)x32非暫時(shí)失靈，所述控制器警報(bào)提醒并不再將所述玻璃加工治具4回撤至所述腔室31內(nèi)，而將所述玻璃加工治具4從所述刻蝕區(qū)撤出，并等待所述主厚度測(cè)量?jī)x32的維修完成。實(shí)施例七采用本發(fā)明所述玻璃減薄生產(chǎn)線的具體工藝流程為：s1，將豎直容納玻璃的所述玻璃加工治具4放置在所述轉(zhuǎn)換區(qū)1內(nèi)，經(jīng)所述沖洗區(qū)2減薄前清洗后轉(zhuǎn)移至所述蝕刻區(qū)3，所述玻璃加工治具4在所述蝕刻區(qū)3中經(jīng)歷減薄處理；具體的，在所述蝕刻區(qū)3中進(jìn)行減薄處理期間。

    并控制磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11每間隔20s旋轉(zhuǎn)10s，也就是說(shuō)，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)10s，控制磁轉(zhuǎn)子停止旋轉(zhuǎn)后，控制噴頭噴涂拋光液10s，停止噴涂拋光液10s后，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)10s，以此類(lèi)推。本發(fā)明實(shí)施例中，控制部件在脈沖工作模式下，實(shí)現(xiàn)減薄和拋光兩種工藝交替作用，使得減薄和拋光一體化完成，整個(gè)過(guò)程穩(wěn)定，速度快，控制性好，重復(fù)度高，無(wú)粉塵污染，襯底減薄終厚度達(dá)到20μm，拋光面ra＜2nm。還需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，在減薄的過(guò)程中，可以不斷更換磁轉(zhuǎn)子12，如磁轉(zhuǎn)子12工作1小時(shí)后，將磁轉(zhuǎn)子12更換為新的磁轉(zhuǎn)子，以使磁轉(zhuǎn)子與待加工表面貼合緊密，避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉(zhuǎn)子形變誤差造成的加工精度失真。此外，本發(fā)明實(shí)施例中，在完成拋光和減薄后，可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對(duì)待加工部件20進(jìn)行清洗，用di水沖洗干凈，40℃的氮?dú)獯蹈?。之后，將清洗后的待加工部?0和托盤(pán)10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盤(pán)10自動(dòng)分離，取出待加工部件20后清洗干凈即可。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種拋光減薄方法，如圖5所示，包括：s101：將待加工部件固定在托盤(pán)上，待加工部件包括inp基晶圓；可選地。蘇州好的減薄用清洗劑的公司。

    將待加工部件固定在托盤(pán)上包括：采用光刻膠將待加工部件固定在托盤(pán)上。具體地，將待加工部件背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠，如az4620光刻膠，然后在托盤(pán)表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠，如az4620光刻膠，之后，將托盤(pán)光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板上，將待加工部件光刻膠面和托盤(pán)光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件上進(jìn)行鍵合，鍵合時(shí)間20min。s102：通過(guò)噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液，來(lái)對(duì)待加工表面進(jìn)行拋光；s103：通過(guò)磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨，來(lái)對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄。可選地，本發(fā)明實(shí)施例中，s102和s103可以交替進(jìn)行，也就是說(shuō)，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)一段時(shí)間后，控制磁轉(zhuǎn)子停止旋轉(zhuǎn)，并控制噴頭噴涂拋光液，停止噴涂拋光液后，再次控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)，以此類(lèi)推。本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)磁轉(zhuǎn)子和噴頭交替工作，實(shí)現(xiàn)了減薄和拋光兩種工藝交替作用，使得減薄和拋光一體化完成，整個(gè)過(guò)程穩(wěn)定，速度快，控制性好，重復(fù)度高，無(wú)粉塵污染，襯底減薄終厚度達(dá)到20μm，拋光面ra＜2nm。由于減薄過(guò)程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此，可以降低拋光減薄過(guò)程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力。哪里可以買(mǎi)到玻璃清洗劑；上海顯示面板用減薄用清洗劑生產(chǎn)

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    磁轉(zhuǎn)子12放置在待加工部件20的待加工表面上，用于通過(guò)旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨，對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄。由于減薄過(guò)程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此，可以降低拋光減薄過(guò)程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力，降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷?？蛇x地，本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤(pán)10。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此，在其他實(shí)施例中，待加工部件20和托盤(pán)10還可以采用其他膠體進(jìn)行鍵合固定?；诖?，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14，該熱板14設(shè)置在托盤(pán)10底部，用于對(duì)托盤(pán)10進(jìn)行加熱，以使待加工部件20與托盤(pán)10鍵合固定。具體地，將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，然后在托盤(pán)10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，之后，將托盤(pán)10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上，將待加工部件20光刻膠面和托盤(pán)10光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件20上進(jìn)行鍵合，鍵合時(shí)間20min。本發(fā)明實(shí)施例中，采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110，來(lái)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行拋光。需要說(shuō)明的是。深圳減薄用清洗劑銷(xiāo)售電話