安徽哪家蝕刻液蝕刻液批量定制

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-26

可用于銀鎳合金、銀銅合金以及純銀的蝕刻,蝕刻后板面平整光滑。劑對(duì)油墨沒有影響,可用于花紋蝕刻處理。三、使用方法:1、原液使用,不須加水,操作溫度可以是25℃-60℃,溫度越高,速度越快。2、將銀板浸泡在銀蝕刻劑中。用軟毛刷來回輕輕刷動(dòng),使藥水與銀充分均勻反應(yīng);或者也可以用搖床,使藥水來回動(dòng)運(yùn),使板蝕刻速度加快。但不能超聲波,以免破壞(感光)油墨。參考數(shù)據(jù):50℃→5分鐘→0.1毫米深度。30℃→20分鐘→0.1毫米深度。3、水洗后做后續(xù)處理。蝕刻液的配方是什么?安徽哪家蝕刻液蝕刻液批量定制

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    技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差,連接安裝步驟繁瑣的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī),所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿,所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線,所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器,所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī),所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐,所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲(chǔ)罐,所述磷酸儲(chǔ)罐的底部固定連接有攪拌倉,所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī),所述攪拌倉的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲(chǔ)罐,所述裝置主體的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲(chǔ)罐,所述裝置主體的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐,所述陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲(chǔ)罐,所述裝置主體的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲(chǔ)罐,所述裝置主體的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲(chǔ)罐,所述裝置主體的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件。成都蝕刻液產(chǎn)品介紹哪家的蝕刻液配方比較好?

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    操作人員的手會(huì)與連接構(gòu)件11接觸,海綿層12可以將操作人員手上的水分進(jìn)行吸收,避免連接構(gòu)件11的兩側(cè)與操作人員的手接觸的時(shí)候,會(huì)因操作人員的手沾濕出現(xiàn)手滑的情況,有效的保證了裝置內(nèi)部構(gòu)件的連接工作能正常的進(jìn)行;然后,通過連接構(gòu)件11將裝置主體1內(nèi)部構(gòu)件進(jìn)行連接,連接構(gòu)件11設(shè)置有十四個(gè),連接構(gòu)件11設(shè)置在攪拌倉23的底部,連接構(gòu)件11與攪拌倉23固定連接,連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定,且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候,不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作,在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端,再通過連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)側(cè)兩端的螺紋管27進(jìn)行連接,通過轉(zhuǎn)動(dòng)連接構(gòu)件11的兩側(cè)部位,同時(shí)使連接管與連接構(gòu)件11的中間位置固定住,通過活動(dòng)軸28的作用,使連接管通過連接有的螺紋向內(nèi)來連接,使連接管將密封軟膠層29進(jìn)行擠壓,使兩構(gòu)件的連接管進(jìn)行密封連接,有效的提高了裝置連接的實(shí)用性;接著,更換或添加硝酸鉀儲(chǔ)罐21或其它儲(chǔ)罐內(nèi)的制備材料,硝酸鉀儲(chǔ)罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22,在將制備蝕刻液儲(chǔ)罐加入制備材料的時(shí)候,需要將儲(chǔ)罐進(jìn)行密封,密封環(huán)22能將硝酸鉀儲(chǔ)罐21和其他儲(chǔ)罐的頂蓋與儲(chǔ)罐主體連接的位置進(jìn)行密封。

    本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù):參照?qǐng)D1,可以確認(rèn)3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時(shí)將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時(shí)*將氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時(shí),會(huì)使用防蝕能力強(qiáng)的添加劑,由此可能發(fā)生氮化物膜沒有被完全去除的工序不良(參照?qǐng)D2)。此外,想要將氮化物膜完全去除時(shí),會(huì)使用防蝕能力弱的添加劑,由此雖然氮化物膜被完全去除,但是可能發(fā)生對(duì)氧化物膜也造成損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)。以往,為了在包含氧化物膜和氮化物膜的多層膜中*將氮化物膜選擇性完全去除而選擇具有適當(dāng)水平的防蝕能力的添加劑時(shí),按照添加劑的種類和濃度通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行確認(rèn)。沒有這樣的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)就選擇添加劑實(shí)際上是不可能的。哪家的蝕刻液蝕刻效果好?

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    所述有機(jī)硫化合物具有作為還原劑及絡(luò)合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物,例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制,推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中,推薦使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物,例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數(shù)并無特別限制,推薦為碳數(shù)1至4。另外,這些化合物的一部分也可經(jīng)取代為氫原子、羥基或氨基等其他基。這些硫醚系化合物中,推薦為使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果優(yōu)異的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。有機(jī)硫化合物的濃度并無特別限制,推薦為%至10重量%,更推薦為%至5重量%。在有機(jī)硫化合物的濃度小于%的情況下,無法獲得充分的還原性及絡(luò)合效果,有鈦的蝕刻速度變得不充分的傾向,若超過10重量%則有達(dá)到溶解極限的傾向。蝕刻液使用時(shí)要注意什么?成都蝕刻液產(chǎn)品介紹

京東方用的哪家的蝕刻液?安徽哪家蝕刻液蝕刻液批量定制

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步,對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無氟,無硝酸,低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā),并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn):1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度(32)下可穩(wěn)定72H,常溫可穩(wěn)定120H;無暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好,taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。安徽哪家蝕刻液蝕刻液批量定制