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    含有的胺化合物的質(zhì)量分為：1％-2％。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的添加劑中含有醇醚化合物的質(zhì)量分為：30％-50％；含有胺化合物的質(zhì)量分為：35％-55％；含有緩蝕劑的質(zhì)量分為：6％-12％；含有潤濕劑的質(zhì)量分為：1％-7％。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的酰胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的酰胺化合物均為n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的一種或者多種。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的醇醚化合物以及步驟s2中添加劑所含的醇醚化合物均為二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一種或多種。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的胺化合物為環(huán)胺與鏈胺。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的一種或多種；所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的一種或多種。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的三唑類化合物，具體為苯并三氮唑(bta)、甲基苯并三氮唑(tta)中的任意一種。進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述的潤濕劑為含羥基化合物，具體為為聚乙二醇、甘油中的任意一種。如何挑選一款適合公司的剝離液？無錫格林達(dá)剝離液銷售價(jià)格

    能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定，例如，可以舉出在設(shè)為10～80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1～60分鐘左右的條件、將設(shè)為10～80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1～60分鐘左右的條件。需要說明的是，浸漬時(shí)，可以搖動(dòng)基材，或?qū)Ρ景l(fā)明剝離液施加超聲波。抗蝕劑的種類沒有特別限定，可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定，例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑，例如，可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會(huì)社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定，例如，可以舉出印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框中使用的各種金屬、合金所形成的、薄膜、基板、部件等。按照上述方式本發(fā)明剝離液能夠從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑，因此能夠在包括除去這樣的抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框等的制造方法中使用。上述制造方法之中推薦包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板的制造方法，特別推薦基于半加成法的印刷布線板的制造方法。本發(fā)明剝離液能夠除去的線/間距(l/s)沒有特別限定。揚(yáng)州ITO蝕刻液剝離液銷售電話好的剝離液的標(biāo)準(zhǔn)是什么。

    本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號(hào)傳輸快，所以能夠更好地實(shí)現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會(huì)對(duì)**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會(huì)用到光刻膠剝離液。以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大，可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線路減薄，藥液殘留，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會(huì)對(duì)晶圓內(nèi)層有很大的腐蝕。本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。

1.顯影液：顯影液是一種溶液，用于在PCB板上顯示銅線軌道的比例和位置，使其成為可以用于焊接元件的良好的PCB板。2.剝離液：剝離液是一種特殊的溶劑，用于將PCB板上的銅線軌道剝離開，以便重新焊接元件。3.蝕刻液：蝕刻液是一種酸性溶液，用于將PCB板上的銅線軌道腐蝕掉，以便重新焊接元件。4.清洗液：清洗液是一種混合物，用于將PCB板上的塵埃、污垢和其他殘留物消除干凈，以便進(jìn)行焊接和裝配。

1.顯影液：是指用于顯影制版的液體，一般由溶劑、硫酸銅、有機(jī)酸和抗氧化劑等組成。2.剝離液：是指用于把制版上的顯影膜剝離出來的液體，一般由硝酸鋁、硫酸鈉等組成。3.蝕刻液：是指用于蝕刻制版的液體，一般由硝酸銅、硝酸鈉、硝酸鋅等組成。4.清洗液：是指用于清洗制版的液體，一般由水、硝酸、硫酸、乙醇等組成。 哪家的剝離液性價(jià)比比較高？

    例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10～40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例任何限定。實(shí)施例1抗蝕劑的剝離液的制備：將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液。【表1】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成：(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合，將覆銅層疊板(古河電工(株式會(huì)社)制：ccl：電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制：ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后，使用干膜抗蝕劑(日立化成制：rd-1225(sap用)：25μm厚)實(shí)施從層壓到圖案曝光、顯影。向本基板以15μm厚實(shí)施鍍銅(jcu制：cu-britevl)后，切出50×50mm2作為試驗(yàn)片。需要說明的是，該試驗(yàn)片是在一片上具有以下的表2的l/s的圖案部分和黏性部分的試驗(yàn)片。(2)圖案基板上殘留的抗蝕劑的評(píng)價(jià)方法上述評(píng)價(jià)方法中將噴涂運(yùn)行時(shí)間固定在4分鐘，按照以下的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)l/s＝20/20～40/40μm的圖案部分有無剝離殘?jiān)?。將其結(jié)果示于表2。<剝離殘?jiān)脑u(píng)價(jià)基準(zhǔn)>(分?jǐn)?shù))(內(nèi)容)1：無殘?jiān)?：有極少量殘?jiān)?。剝離液的主要成分是什么？深圳哪家蝕刻液剝離液按需定制

哪家的剝離液價(jià)格比較低？無錫格林達(dá)剝離液銷售價(jià)格

    本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種光刻膠剝離液再生方法。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越***。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材，才能再進(jìn)行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而隨著電子行業(yè)的發(fā)展以及高世代面板的面世，光刻膠剝離液的使用越來越多。剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質(zhì)，而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收，其大量的使用但不能夠有效地回收，對(duì)環(huán)境、資源等都造成了比較大的影響。有鑒于此，申請(qǐng)人研發(fā)出以下的對(duì)使用后的光刻膠剝離液回收及再生方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種光刻膠剝離液再生方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：本申請(qǐng)公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液，包括以下質(zhì)量組分：光刻膠剝離液再生方法，包括以下步驟：s1：回收剝離液新液使用后的剝離液廢液，將剝離液廢液經(jīng)過蒸餾、加壓工序，得出剝離液廢液的純化液體；純化液體中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物；s2：制備添加劑。無錫格林達(dá)剝離液銷售價(jià)格

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