2025年3月10至12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷高峰論壇

我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但近年來(lái)，在國(guó)家政策推動(dòng)和地方積極產(chǎn)業(yè)布局下，我國(guó)逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長(zhǎng)三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等相關(guān)科研院所，并擁有天科合達(dá)、同光晶體、泰科天潤(rùn)、世紀(jì)金光等第三代半導(dǎo)體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈；長(zhǎng)三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個(gè)研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導(dǎo)體等在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！敬請(qǐng)關(guān)注中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，品牌精英齊聚盛會(huì)，傾情見證行業(yè)新輝煌，2025年3月10日上海見！2025年3月10至12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷高峰論壇

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷專題論壇2025年3月10-12日，讓我們相聚中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，共同探索先進(jìn)陶瓷行業(yè)的萬(wàn)千可能！

AlN有兩個(gè)非常重要的性能值得注意：一個(gè)是高的熱導(dǎo)率，一個(gè)是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會(huì)對(duì)熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對(duì)材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國(guó)內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對(duì)于Al2O3，AlN價(jià)格相對(duì)偏高許多，這個(gè)也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過(guò)隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級(jí)，這種瓶頸終會(huì)消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

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傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻毡緪郯l(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！賦能前沿智造，智領(lǐng)行業(yè)未來(lái)，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無(wú)限商機(jī)！3月10日至12日中國(guó)上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

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在需要高功率的場(chǎng)景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10至12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷高峰論壇