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使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂，這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn)，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí)，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問(wèn)題，通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔，實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接，以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封，并為主電極引出提供支撐。3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡(jiǎn)單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的最大工作電流和比較大反向電壓。甘肅整流橋模塊代理商

所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式，所述信號(hào)地管腳gnd的寬度大于，進(jìn)一步設(shè)置為～1mm，以加強(qiáng)散熱，達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè)，所述零線管腳n、所述信號(hào)地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說(shuō)明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，不以本實(shí)施例為限。如圖1所示，所述整流橋的一交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳。具體地，作為本實(shí)用新型的一種實(shí)現(xiàn)方式，所述整流橋包括四個(gè)整流二極管，各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳。在本實(shí)施例中，所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn)，其中，一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。河北整流橋模塊代理品牌整流橋可以有4個(gè)單獨(dú)的二極管連接而成。

以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳；所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端輸出邏輯控制信號(hào)，高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極，采樣端口連接所述采樣管腳，接地端口連接所述信號(hào)地管腳；所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào)，漏極連接所述漏極管腳，源極連接所述采樣管腳；所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)?？蛇x地，所述火線管腳、所述零線管腳、所述高壓供電管腳及所述漏極管腳與臨近管腳之間的間距設(shè)置為大于?？蛇x地，所述至少兩個(gè)基島包括漏極基島及信號(hào)地基島；當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管粘接于所述漏極基島上時(shí)，所述漏極管腳的寬度設(shè)置為～1mm；當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管設(shè)置于所述信號(hào)地基島上時(shí)，所述信號(hào)地管腳的寬度設(shè)置為～1mm?？蛇x地，所述至少兩個(gè)基島包括高壓供電基島及信號(hào)地基島；所述整流橋包括一整流二極管、第二整流二極管、第三整流二極管及第四整流二極管。

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上)，能實(shí)現(xiàn)電連接即可，不限于本實(shí)施例。需要說(shuō)明的是，所述整流橋可基于不同類(lèi)型的器件選擇不同的基島實(shí)現(xiàn)，不限于本實(shí)施例，任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實(shí)施例中，所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地，所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào))；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中，所述控制芯片12的底面為襯底，通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接；漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs。整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載，因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用，由于用量十分巨大，對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型，很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件，同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片，導(dǎo)致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳。特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。四川進(jìn)口整流橋模塊銷(xiāo)售

流橋的構(gòu)造如，可以將輸入的含有負(fù)電壓的波形轉(zhuǎn)換成正電壓。甘肅整流橋模塊代理商

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來(lái)代替整流橋的殼溫，這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來(lái)不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過(guò)程，在此本文通過(guò)仿真軟件詳細(xì)的整流橋模型來(lái)對(duì)帶有散熱器、強(qiáng)迫風(fēng)冷下的整流橋散熱問(wèn)題進(jìn)行進(jìn)一步的闡述。圖5、仿真計(jì)算模型如上圖是仿真計(jì)算的模型外型圖。在該模型中，通過(guò)解剖一整流橋后得到的相關(guān)尺寸參數(shù)來(lái)進(jìn)行仿真分析模型的建立。其仿真分析結(jié)果如下所示:圖6、整流橋散熱器基板溫度分布有上圖可以看出，整流橋散熱器的基板溫度分布相對(duì)而言還是比較均勻的，約70℃左右。即使在四個(gè)二極管正下方的溫度與整流橋殼體背面與散熱器相接觸的外邊緣，也只有5℃左右的溫差。這主要是由于散熱器基板是一有一定厚度且導(dǎo)熱性能較好的鋁板，它能夠有效地把整流橋背面的不均勻溫度進(jìn)行均勻化。整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的，在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109℃，然而在整流橋的中間位置，遠(yuǎn)離熱源處卻只有75℃，其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。甘肅整流橋模塊代理商