現(xiàn)在由正高電氣來(lái)和大家學(xué)習(xí)一下可控硅模塊溫度保護(hù)：
可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長(zhǎng)期可靠地工作，設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬(wàn)不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等?？紤]散熱問(wèn)題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫。 奧凱電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！重慶可控硅模塊廠家
晶閘管模塊的注意事項(xiàng)：
（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。
（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。
逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。 重慶可控硅模塊廠家?jiàn)W凱電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！
可控硅模塊的控制方式：
通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。
滿足可控硅模塊工作的必要條件：
（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。
（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。
（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。
晶閘管智能控制模塊電流規(guī)格的選?。?
晶閘管智能控制模塊的標(biāo)稱電流為模塊正常工作允許通過(guò)的較大電流，考慮到晶閘管抗電流沖擊能力較差，選取模塊時(shí)建議您應(yīng)留出裕量。
阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。
感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流以為負(fù)載額定心流的3倍。
使用環(huán)境要求：
（1）環(huán)境適應(yīng)溫度攝氏-25℃～+45℃。
（2）工作場(chǎng)所要求干燥、通風(fēng)、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性氣體。
可以這樣舉例來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題：晶閘管智能模塊所控制的輸出功率與電網(wǎng)電源變壓器的功率比值是一個(gè)界定影響大小的依據(jù)，電網(wǎng)電源變壓器容量比較大，可以供給較大的電流，晶閘管智能模塊的輸出功率相對(duì)變壓器的功率來(lái)說(shuō)比較小，其影響就可以忽略不計(jì);反之，模塊控制的輸出功率相對(duì)于變壓器功率來(lái)說(shuō)比較大，則影響就比較大。影響大的時(shí)候可以用電力電容器吸收，必要時(shí)可采用 LC 吸收。
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晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況
晶閘管模塊的應(yīng)用十分廣，而且分類也特別多，比如單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管等等，那么快速晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況是什么你知道嗎？
(1)快速晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門極承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。
(2)快速晶閘管模塊承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，*在門極承受正向電壓的情況下快速晶閘管才導(dǎo)通。
(3)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門極電壓如何，快速晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。
(4)快速晶閘管模塊在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí)，快速晶閘管關(guān)斷。選用的是快速晶閘管是TYN1025，它的耐壓是600到1000V，電流大達(dá)到25A。它所需要的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓是10到20V，驅(qū)動(dòng)電流是4到40mA。而它的維持電流是50mA，擎住電流是90mA。無(wú)論是DSP還是CPLD所發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)的幅值只有5V。首先，先把只有5V的幅值轉(zhuǎn)換成24V，然后通過(guò)一個(gè)2：1的隔離變壓器把24V的觸發(fā)信號(hào)轉(zhuǎn)換成12V的觸發(fā)信號(hào)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高低壓隔離的功能。
以上就是快速晶閘管模塊驅(qū)動(dòng)電路的工作情況，您了解了嗎？
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晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯(cuò)誤的幾率，維護(hù)方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi)，環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會(huì)對(duì)其產(chǎn)生影響，增加了可靠性。
工作原理
晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過(guò)溫控儀表的溫度傳感器來(lái)采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來(lái)控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來(lái)保持爐內(nèi)溫度恒定。
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