由碳與氟反應(yīng)，或一氧化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲烷與氟化氫反應(yīng)，或四氯化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯化碳與氟化氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。四氯化碳與氟化氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過(guò)冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經(jīng)精餾而得成品。
預(yù)先稱(chēng)取5～10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤(pán)中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤(pán)放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)，反應(yīng)放熱后，氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，將其通過(guò)裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅，隨后通過(guò)硅膠和五氧化二磷干燥塔得到**終產(chǎn)品。
或四氯化碳與氟化氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。杭州原裝四氟化碳高性?xún)r(jià)比的選擇
一種四氟化碳?xì)怏w濃度檢測(cè)校正方法，包括：
通過(guò)雙光路檢測(cè)系統(tǒng)利用雙波長(zhǎng)紅外差分檢測(cè)法測(cè)量出不同溫度下的四氟化碳?xì)怏w濃度值；
將測(cè)量出的所述四氟化碳?xì)怏w濃度值和對(duì)應(yīng)的溫度值輸入至RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練；
將對(duì)測(cè)試樣本測(cè)量所得的四氟化碳?xì)怏w濃度值輸入至訓(xùn)練好的所述RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行測(cè)試并開(kāi)展反演計(jì)算，得到校正后的四氟化碳?xì)怏w實(shí)際濃度值。
推薦地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述四氟化碳?xì)怏w濃度檢測(cè)校正方法中，通過(guò)雙光路檢測(cè)系統(tǒng)利用雙波長(zhǎng)紅外差分檢測(cè)法測(cè)量出四氟化碳?xì)怏w濃度值，包括：所述紅外光源發(fā)出的紅外光束經(jīng)準(zhǔn)直后進(jìn)入內(nèi)置有四氟化碳?xì)怏w的所述氣體采樣室；被四氟化碳?xì)怏w吸收特定波長(zhǎng)的紅外光束作為測(cè)量光；波長(zhǎng)不受四氟化碳?xì)怏w影響的紅外光束作為參考光；
在所述測(cè)量光經(jīng)所述濾光片透射后，檢測(cè)所述測(cè)量光的光強(qiáng)；在所述參考光經(jīng)所述第二濾光片透射后，檢測(cè)所述參考光的光強(qiáng)；
南通節(jié)能四氟化碳質(zhì)量代理商R-14制冷劑，別名R14、氟利昂14、PFC-14，商品名稱(chēng)有Freon 14等。
快速發(fā)展的半導(dǎo)體集成電路行業(yè)對(duì)上游的電子材料需求十分之大，隨著近年來(lái)國(guó)家不斷地出臺(tái)政策扶持，多家 12寸晶圓廠已經(jīng)完工并投產(chǎn)，同時(shí)8寸、6 寸晶圓廠也仍然在興建中，其中國(guó)產(chǎn)廠商能夠?yàn)? 寸、8 寸廠提供電子氣體，但隨著制造工藝制程進(jìn)步，對(duì)電子氣體質(zhì)量的穩(wěn)定性要求也越來(lái)越苛刻，從 28 納米走到7納米，產(chǎn)品的金屬雜質(zhì)要求須下降100倍，污染粒子的體積也必須要縮小4倍，12 寸廠需要的電子氣體純度通常為6N級(jí)(99.9999%)以上，國(guó)內(nèi)廠家的質(zhì)量很難到要求。
2019-2025年中國(guó)四氟化碳市場(chǎng)調(diào)查研究及發(fā)展前景趨勢(shì)分析報(bào)告是對(duì)四氟化碳行業(yè)進(jìn)行的闡述和論證，對(duì)四氟化碳研究過(guò)程中所獲取的資料進(jìn)行系統(tǒng)的整理和分析，通過(guò)圖表、統(tǒng)計(jì)結(jié)果及文獻(xiàn)資料，或以縱向的發(fā)展過(guò)程，或橫向類(lèi)別分析提出論點(diǎn)、分析論據(jù)，進(jìn)行論證。2019-2025年中國(guó)四氟化碳市場(chǎng)調(diào)查研究及發(fā)展前景趨勢(shì)分析報(bào)告如實(shí)地反映了四氟化碳行業(yè)客觀情況，一切敘述、說(shuō)明、推斷、引用恰如其分，文字、用詞表達(dá)準(zhǔn)確，概念表述科學(xué)化。
在蝕刻過(guò)程中，用四氟化碳將多余的銅皮腐蝕掉。
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環(huán)境下是相對(duì)惰性的，在不通風(fēng)的地方會(huì)引起窒息。在射頻等離子體環(huán)境中，氟自由基表現(xiàn)為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過(guò)程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時(shí)不利于各種特殊的控制（如半導(dǎo)體各項(xiàng)異性控制）。其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽(yáng)氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。
通常常溫下只會(huì)與液氨-金屬鈉試劑能發(fā)生作用。杭州原裝四氟化碳高性?xún)r(jià)比的選擇
半導(dǎo)體材料屬于高技術(shù)壁壘行業(yè)，特別是晶圓制造材料，技術(shù)要求高，生產(chǎn)難度大。目前，半導(dǎo)體材料**產(chǎn)品大多集中在美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)生產(chǎn)商。國(guó)內(nèi)由于起步晚，技術(shù)積累不足，整體處于相對(duì)落后的狀態(tài)。目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料主要集中在中低端領(lǐng)域，**產(chǎn)品基本被國(guó)外生產(chǎn)商壟斷。如硅片，2017年全球五大硅片廠商占據(jù)了全球94%的市場(chǎng)份額。
近年來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商加大了研發(fā)投入，大力推進(jìn)半導(dǎo)體材料的研發(fā)及生產(chǎn)，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。目前在部分細(xì)分領(lǐng)域，已經(jīng)突破國(guó)外壟斷，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；┴洝Ｈ鏑MP拋光材料的**企業(yè)安集科技，公司化學(xué)機(jī)械拋光液已在130-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售，主要應(yīng)用于國(guó)內(nèi)8英寸和12英寸主流晶圓產(chǎn)線；濺射靶材**江豐電子，16納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時(shí)7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)也實(shí)現(xiàn)供貨。
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