山東陶瓷封裝方案

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結構。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術又可以增加使用晶圓或模塊的數量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數，進一步增強SiP技術的功能整合能力。而內部接合技術可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結合。SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。山東陶瓷封裝方案

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結構：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。山東陶瓷封裝方案SiP 封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。

SMT生產工藝挑戰(zhàn)：元件小型化，Chip元件逐步淘汰，隨著產品集成化程度越來越高，產品小型化趨勢不可避免，因此0201元件在芯片級制造領域受到微型化發(fā)展趨勢，將被逐步淘汰。Chip元件普及，隨著蘋果i-watch的面世，SIP的空間設計受到挑戰(zhàn)，伴隨蘋果，三星等移動設備的高標要求，01005 chip元件開始普遍應用在芯片級制造領域。Chip元件開始推廣，SIP工藝的發(fā)展，要求元件板身必須小型化，隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉移到SIP芯片上，這就要求SIP在滿足功能的前提下，還能降尺寸控制在合理范圍，由此催生出0201元件的推廣與應用。

SiP具有以下優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規(guī)模經濟時，成本節(jié)約開始顯現，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產量可以較大程度上提高。SiP 封裝優(yōu)勢：縮短產品研制和投放市場的周期。

SIP封裝（System In a Package系統(tǒng)級封裝）是將多種功能晶圓，包括處理器、存儲器等功能晶圓根據應用場景、封裝基板層數等因素，集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整功能的封裝方案。SIP封裝是一種電子器件封裝方案，將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能。應用在進行電子產品的制作中，電子器件的不同封裝方式影響器件的尺寸和設計方案。SIP封裝一般采用單列直插形式，按引腳數分類有2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、16、20引腳。SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。山東陶瓷封裝方案

在當前時代，Sip系統(tǒng)級封裝（System-in-Package）技術嶄露頭角。山東陶瓷封裝方案

根據國際半導體路線組織（ITRS）的定義： SiP（System-in-package）為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。SiP技術特點：組件集成，SiP可以包含各種類型的組件，如：數字和模擬集成電路，無源元件（電阻、電容、電感），射頻（RF）組件，功率管理模塊，內存芯片（如DRAM、Flash），傳感器和微電機系統(tǒng)（MEMS）。山東陶瓷封裝方案